IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI,インテグレテッドシリコンソリューション

モデル番号:IS41LV16100B-50KL
最低注文量:1
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パッケージの詳細:アンチステティックバッグと紙箱
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Shenzhen China
住所: 第2520の第25床、ブロックAのアジア新しいGuoliの建物、Huaqiangの北の通り、シンセン、中国
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製品詳細 会社概要
製品詳細

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記述

ISSIIS41LV16100Bは1つで048,576 x 16-bit 高性能 CMOS ダイナミックランダムアクセス メモリー.これらのデバイスは,EDO ページモードと呼ばれる加速サイクルアクセスを提供します.024 単行中のランダムなアクセスで,アクセスサイクルの時間は16ビット単語で20nsまで短く.

特徴

• TTL対応の入力と出力;三段階のI/O
• リフレッシュ インターバル:
自動更新モード: 1,024 サイクル / 16 ms
RASのみ,RAS (CBR) の前のCAS,そして隠された
• JEDEC 標準のピナウット
単一の電源: 3.3V ± 10%
2つのCAS経由でバイト書き込みとバイト読み込み操作
産業用温度帯: -40°C から +85°C
• 鉛 の ない 製品

仕様

属性属性値
製造者ISSI
製品カテゴリーICチップ
シリーズ-
パッケージトューブ
パッケージケース42-BSOJ (0.400",10.16mm)
動作温度0°C~70°C (TA)
インターフェースパラレル
電圧供給3V~3.6V
供給者 デバイス パッケージ42-SOJ
記憶容量16M (1M x 16)
メモリタイプDRAM - EDO
スピード50ns
フォーマットメモリRAM

記述

DRAM - EDO メモリ IC 16Mb (1M x 16) パラレル 25ns 42-SOJ
China IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI,インテグレテッドシリコンソリューション supplier

IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI,インテグレテッドシリコンソリューション

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