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属性 | 属性値 |
---|---|
製造者 | サイプレス・セミコンダクター |
製品カテゴリー | レゾナタ |
Mfr | サイプレス・セミコンダクター |
シリーズ | - |
パッケージ | トューブ |
商品の状況 | アクティブ |
メモリタイプ | 不揮発性 |
メモリ形式 | NVSRAM |
テクノロジー | NVSRAM (非揮発性 SRAM) |
メモリサイズ | 1MB (128K x 8) |
メモリインターフェース | SPI |
時計周波数 | 40 MHz |
書き込みサイクル タイム ワード ページ | - |
電圧供給 | 2.7V~3.6V |
動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
マウントタイプ | 表面マウント |
パッケージケース | 16-SOIC (0.295" 7.50mm 幅) |
供給者 デバイス パッケージ | 16-SOIC |
基本製品番号 | CY14B101 |
製造者 パーツ# | 記述 | 製造者 | 比較する |
CY14C101Q3A-SF104XI 記憶力 | 非揮発性 SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS 適合, MO-119, SOIC-16 | サイパス半導体 | CY14B101PA-SFXI 対 CY14C101Q3A-SF104XI |
CY14B101PA-SF104XIT 記憶力 | 非揮発性 SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS 適合, MO-119, SOIC-16 | サイパス半導体 | CY14B101PA-SFXI 対 CY14B101PA-SF104XIT |
CY14B101Q3-SFXI 記憶力 | 非揮発性 SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS 適合, MO-119, SOIC-16 | サイパス半導体 | CY14B101PA-SFXI 対 CY14B101Q3-SFXI |
CY14B101Q3-SFXIT 記憶力 | 非揮発性 SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS 適合, MO-119, SOIC-16 | サイパス半導体 | CY14B101PA-SFXI 対 CY14B101Q3-SFXIT |
CY14B101PA-SFXIT 記憶力 | 非揮発性 SRAM 128KX8,CMOS,PDSO16,SOIC-16 | サイパス半導体 | CY14B101PA-SFXI 対 CY14B101PA-SFXIT |
CY14B101P-SFXI 記憶力 | 非揮発性 SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS 適合, MO-119, SOIC-16 | サイパス半導体 | CY14B101PA-SFXI 対 CY14B101P-SFXI |
CY14B101PA-SF104XI 記憶力 | 非揮発性 SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS 適合, MO-119, SOIC-16 | サイパス半導体 | CY14B101PA-SFXI 対 CY14B101PA-SF104XI |
CY14B101P-SFXIT 記憶力 | 非揮発性 SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS 適合, MO-119, SOIC-16 | サイパス半導体 | CY14B101PA-SFXI 対 CY14B101P-SFXIT |
CY14B101I-SFXI 記憶力 | 非揮発性 SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS 適合, MO-119, SOIC-16 | サイパス半導体 | CY14B101PA-SFXI 対 CY14B101I-SFXI |
CY14B101I-SFXIT 記憶力 | 非揮発性 SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS 適合, MO-119, SOIC-16 | サイパス半導体 | CY14B101PA-SFXI 対 CY14B101I-SFXIT |