CY14B101PA-SFXI IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC インフィニオン・テクノロジーズ

モデル番号:CY14B101PA-SFXI
最低注文量:1
支払条件:T/T
供給能力:ストック
配達時間:3~5 営業日
パッケージの詳細:アンチステティックバッグと紙箱
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所: 第2520の第25床、ブロックAのアジア新しいGuoliの建物、Huaqiangの北の通り、シンセン、中国
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 26 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

製品詳細


概要

Cypress CY14X101PAは1Mbit nvSRAM[1]とシリアルSPIインターフェースのモノリシック統合回路のフル機能RTCを組み合わせている.メモリはそれぞれ8ビットで128Kワードに組織されている.組み込まれている非揮発性要素は 量子トラップ技術を使用していますSRAMは無限の読み書きサイクルを提供し,QuantumTrapセルは高度に信頼性の高い非揮発性データストレージを提供します.SRAMから非揮発性要素へのデータ転送 (STORE操作) は,オフにすると自動的に行われます.. 起動すると,非揮発性メモリから SRAM にデータが復元されます (RECALL 操作). SPI 命令で STORE と RECALL 操作も開始できます.

特徴

■ 1Mbit の不揮発性静的ランダムアクセスメモリ (nvSRAM)
内部は128K × 8で構成されています
ストアから量子トラップへ 動かない要素は,電源停止時に自動的に起動します (AutoStore) またはSPI命令 (Software STORE) またはHSBピン (Hardware STORE) を使用します
◎RECALL to SRAM は電源アップ (電源アップRECALL) またはSPI命令 (ソフトウェアRECALL) によって開始されます
小さなコンデンサで自動ストアをオフに
■ 高い信頼性
読み書き,RECALL サイクルを無限に
量子トラップに100万回のSTOREサイクル
データの保存: 85°Cで20年
■リアルタイムクロック (RTC)
完全機能のRTC
ウォッチドッグタイマー
プログラム可能な中断装置の時計アラーム
備蓄電源の故障表示
プログラム可能な周波数 (1 Hz,512 Hz,4096 Hz,32.768 kHz) の平方波出力
RTCのコンデンサまたはバックアップバッテリー
◎ バックアップ電流 0.45 μA (典型)
■ 40 MHz と 104 MHz 高速シリアル周辺インターフェース (SPI)
40 MHz クロックレート SPI 0 サイクルの遅延で読み書き
104 MHz クロックレート SPI 書き込み読み込み (特別な速読指示)
SPIモード 0 (0, 0) とモード 3 (1, 1) をサポートします.
■ SPI の特殊機能へのアクセス
流動性のないSTORE/RECALL
8バイトのシリアル番号
製造者IDと製品ID
睡眠モード
■ 書き込み保護
書き込み保護 (WP) ピンを使用するハードウェア保護
書き込み無効化命令を使用してソフトウェア保護
1/4,1/2,またはすべての配列のためのソフトウェアブロック保護
■ 低電力消費
平均アクティブ電流は40MHzで3mA
平均待機モード電流 250 μA
睡眠状態の電流は8 μA
■ 業界標準の構成
操作電圧:
CY14C101PA:VCC = 2.4Vから2.6V
CY14B101PA: VCC = 2.7Vから3.6V
CY14E101PA: VCC = 4.5Vから5.5V
工業用温度
16ピンの小型コンスート統合回路 (SOIC) パッケージ
危険物質の制限 (RoHS) に準拠する

仕様

属性属性値
製造者サイプレス・セミコンダクター
製品カテゴリーレゾナタ
Mfrサイプレス・セミコンダクター
シリーズ-
パッケージトューブ
商品の状況アクティブ
メモリタイプ不揮発性
メモリ形式NVSRAM
テクノロジーNVSRAM (非揮発性 SRAM)
メモリサイズ1MB (128K x 8)
メモリインターフェースSPI
時計周波数40 MHz
書き込みサイクル タイム ワード ページ-
電圧供給2.7V~3.6V
動作温度-40°C ~ 85°C (TA)
マウントタイプ表面マウント
パッケージケース16-SOIC (0.295" 7.50mm 幅)
供給者 デバイス パッケージ16-SOIC
基本製品番号CY14B101

機能的に互換性のある部品

形式 パッケージ 機能互換性のある部品

製造者 パーツ#記述製造者比較する
CY14C101Q3A-SF104XI
記憶力
非揮発性 SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS 適合, MO-119, SOIC-16サイパス半導体CY14B101PA-SFXI 対 CY14C101Q3A-SF104XI
CY14B101PA-SF104XIT
記憶力
非揮発性 SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS 適合, MO-119, SOIC-16サイパス半導体CY14B101PA-SFXI 対 CY14B101PA-SF104XIT
CY14B101Q3-SFXI
記憶力
非揮発性 SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS 適合, MO-119, SOIC-16サイパス半導体CY14B101PA-SFXI 対 CY14B101Q3-SFXI
CY14B101Q3-SFXIT
記憶力
非揮発性 SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS 適合, MO-119, SOIC-16サイパス半導体CY14B101PA-SFXI 対 CY14B101Q3-SFXIT
CY14B101PA-SFXIT
記憶力
非揮発性 SRAM 128KX8,CMOS,PDSO16,SOIC-16サイパス半導体CY14B101PA-SFXI 対 CY14B101PA-SFXIT
CY14B101P-SFXI
記憶力
非揮発性 SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS 適合, MO-119, SOIC-16サイパス半導体CY14B101PA-SFXI 対 CY14B101P-SFXI
CY14B101PA-SF104XI
記憶力
非揮発性 SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS 適合, MO-119, SOIC-16サイパス半導体CY14B101PA-SFXI 対 CY14B101PA-SF104XI
CY14B101P-SFXIT
記憶力
非揮発性 SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS 適合, MO-119, SOIC-16サイパス半導体CY14B101PA-SFXI 対 CY14B101P-SFXIT
CY14B101I-SFXI
記憶力
非揮発性 SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS 適合, MO-119, SOIC-16サイパス半導体CY14B101PA-SFXI 対 CY14B101I-SFXI
CY14B101I-SFXIT
記憶力
非揮発性 SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS 適合, MO-119, SOIC-16サイパス半導体CY14B101PA-SFXI 対 CY14B101I-SFXIT

記述

NVSRAM (非揮発性 SRAM) メモリIC 1Mb (128K x 8) SPI 40MHz 16-SOIC
NVRAM NVSRAM Serial-SPI 1Mbit 3.3V 16ピンのSOICチューブ
NVRAM 1Mb 3V 40Mhz 128K x 8 SPI nvSRAM
China CY14B101PA-SFXI IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC インフィニオン・テクノロジーズ supplier

CY14B101PA-SFXI IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC インフィニオン・テクノロジーズ

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