CY14B101PA-SFXI IC NVSRAM 1MBIT SPI 40MHZ 16SOIC インフィニオン・テクノロジーズ

モデル番号:CY14B101PA-SFXI

最低注文量:1

支払条件:T/T

供給能力:ストック

配達時間:3~5 営業日

パッケージの詳細:アンチステティックバッグと紙箱

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Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

確認済みサプライヤー

Shenzhen China

住所：第2520の第25床、ブロックAのアジア新しいGuoliの建物、Huaqiangの北の通り、シンセン、中国

サプライヤーの最後のログイン時間: 内 26 時間

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製品詳細会社概要

製品詳細

概要

Cypress CY14X101PAは1Mbit nvSRAM[1]とシリアルSPIインターフェースのモノリシック統合回路のフル機能RTCを組み合わせている.メモリはそれぞれ8ビットで128Kワードに組織されている.組み込まれている非揮発性要素は量子トラップ技術を使用していますSRAMは無限の読み書きサイクルを提供し,QuantumTrapセルは高度に信頼性の高い非揮発性データストレージを提供します.SRAMから非揮発性要素へのデータ転送 (STORE操作) は,オフにすると自動的に行われます.. 起動すると,非揮発性メモリから SRAM にデータが復元されます (RECALL 操作). SPI 命令で STORE と RECALL 操作も開始できます.

特徴

■ 1Mbit の不揮発性静的ランダムアクセスメモリ (nvSRAM)
内部は128K × 8で構成されています
ストアから量子トラップへ動かない要素は,電源停止時に自動的に起動します (AutoStore) またはSPI命令 (Software STORE) またはHSBピン (Hardware STORE) を使用します
◎RECALL to SRAM は電源アップ (電源アップRECALL) またはSPI命令 (ソフトウェアRECALL) によって開始されます
小さなコンデンサで自動ストアをオフに
■ 高い信頼性
読み書き,RECALL サイクルを無限に
量子トラップに100万回のSTOREサイクル
データの保存: 85°Cで20年
■リアルタイムクロック (RTC)
完全機能のRTC
ウォッチドッグタイマー
プログラム可能な中断装置の時計アラーム
備蓄電源の故障表示
プログラム可能な周波数 (1 Hz,512 Hz,4096 Hz,32.768 kHz) の平方波出力
RTCのコンデンサまたはバックアップバッテリー
◎ バックアップ電流 0.45 μA (典型)
■ 40 MHz と 104 MHz 高速シリアル周辺インターフェース (SPI)
40 MHz クロックレート SPI 0 サイクルの遅延で読み書き
104 MHz クロックレート SPI 書き込み読み込み (特別な速読指示)
SPIモード 0 (0, 0) とモード 3 (1, 1) をサポートします.
■ SPI の特殊機能へのアクセス
流動性のないSTORE/RECALL
8バイトのシリアル番号
製造者IDと製品ID
睡眠モード
■ 書き込み保護
書き込み保護 (WP) ピンを使用するハードウェア保護
書き込み無効化命令を使用してソフトウェア保護
1/4,1/2,またはすべての配列のためのソフトウェアブロック保護
■ 低電力消費
平均アクティブ電流は40MHzで3mA
平均待機モード電流 250 μA
睡眠状態の電流は8 μA
■ 業界標準の構成
操作電圧:
CY14C101PA:VCC = 2.4Vから2.6V
CY14B101PA: VCC = 2.7Vから3.6V
CY14E101PA: VCC = 4.5Vから5.5V
工業用温度
16ピンの小型コンスート統合回路 (SOIC) パッケージ
危険物質の制限 (RoHS) に準拠する

仕様

属性	属性値
製造者	サイプレス・セミコンダクター
製品カテゴリー	レゾナタ
Mfr	サイプレス・セミコンダクター
シリーズ	-
パッケージ	トューブ
商品の状況	アクティブ
メモリタイプ	不揮発性
メモリ形式	NVSRAM
テクノロジー	NVSRAM (非揮発性 SRAM)
メモリサイズ	1MB (128K x 8)
メモリインターフェース	SPI
時計周波数	40 MHz
書き込みサイクルタイムワードページ	-
電圧供給	2.7V~3.6V
動作温度	-40°C ~ 85°C (TA)
マウントタイプ	表面マウント
パッケージケース	16-SOIC (0.295" 7.50mm 幅)
供給者デバイスパッケージ	16-SOIC
基本製品番号	CY14B101

機能的に互換性のある部品

形式パッケージ機能互換性のある部品

製造者パーツ#	記述	製造者	比較する
CY14C101Q3A-SF104XI 記憶力	非揮発性 SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS 適合, MO-119, SOIC-16	サイパス半導体	CY14B101PA-SFXI 対 CY14C101Q3A-SF104XI
CY14B101PA-SF104XIT 記憶力	非揮発性 SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS 適合, MO-119, SOIC-16	サイパス半導体	CY14B101PA-SFXI 対 CY14B101PA-SF104XIT
CY14B101Q3-SFXI 記憶力	非揮発性 SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS 適合, MO-119, SOIC-16	サイパス半導体	CY14B101PA-SFXI 対 CY14B101Q3-SFXI
CY14B101Q3-SFXIT 記憶力	非揮発性 SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS 適合, MO-119, SOIC-16	サイパス半導体	CY14B101PA-SFXI 対 CY14B101Q3-SFXIT
CY14B101PA-SFXIT 記憶力	非揮発性 SRAM 128KX8,CMOS,PDSO16,SOIC-16	サイパス半導体	CY14B101PA-SFXI 対 CY14B101PA-SFXIT
CY14B101P-SFXI 記憶力	非揮発性 SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS 適合, MO-119, SOIC-16	サイパス半導体	CY14B101PA-SFXI 対 CY14B101P-SFXI
CY14B101PA-SF104XI 記憶力	非揮発性 SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS 適合, MO-119, SOIC-16	サイパス半導体	CY14B101PA-SFXI 対 CY14B101PA-SF104XI
CY14B101P-SFXIT 記憶力	非揮発性 SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS 適合, MO-119, SOIC-16	サイパス半導体	CY14B101PA-SFXI 対 CY14B101P-SFXIT
CY14B101I-SFXI 記憶力	非揮発性 SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS 適合, MO-119, SOIC-16	サイパス半導体	CY14B101PA-SFXI 対 CY14B101I-SFXI
CY14B101I-SFXIT 記憶力	非揮発性 SRAM, 128KX8, CMOS, PDSO16, 0.300 INCH, ROHS 適合, MO-119, SOIC-16	サイパス半導体	CY14B101PA-SFXI 対 CY14B101I-SFXIT