DDR2 SDRAM
MT47H256M4 32 メガ × 4 × 8 バンク
MT47H128M8 16 メグ × 8 × 8 банки
MT47H64M16 8 メグ × 16 × 8 банки
特徴
VDD = 1.8V ±0.1V,VDDQ = 1.8V ±0.1V
JEDEC標準 1.8V I/O (SSTL_18対応)
差分データストロブ (DQS,DQS#) オプション
• 4nビットプリフェッチアーキテクチャ
• x8 のための複製出力ストロブ (RDQS) オプション
• DQとDQSの移行をCKと調整するDLL
• 8つの内部バンクが同時に運用される
プログラム可能なCAS遅延 (CL)
• CAS 添加物 レイテンシー (AL)
• WRITE レイテンシー = READ レイテンシー - 1 tCK
• 選択可能なバースト長 (BL): 4 か 8
• 調整可能なデータ出力駆動強度
• 64ms, 8192サイクルリフレッシュ
• 死亡時に終了 (ODT)
■工業温度 (IT) オプション
自動車温度 (AT) オプション
• RoHS 準拠
• JEDECクロックジッター仕様に対応