AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA アライアンスメモリー,インク
モデル番号:AS4C16M16D1-5BCN
最低注文量:1
支払条件:T/T
供給能力:ストック
配達時間:3~5 営業日
パッケージの詳細:アンチステティックバッグと紙箱
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
第2520の第25床、ブロックAのアジア新しいGuoliの建物、Huaqiangの北の通り、シンセン、中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 26 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
製品詳細
特徴
• 組織: 1,048,576文字 × 4ビット• 高速
- 40/50/60/70 ns RAS アクセス 時間
- 20/25/30/35 ns コラムアドレス アクセス 時間は
- 10/13/15/18 ns CAS アクセス 時間
• 低電力消費
-アクティブ:最大385mW (−60)
スタンバイ 5.5mW 最大 CMOS I/O
速報モード (AS4C14400) またはEDO (AS4C14405)
• 1024 更新サイクル, 16 ms の更新間隔
- RASのみまたはRAS前にCASリフレッシュ
• 読み取り,変更,書き込み
• TTL対応の3つの状態のI/O
• JEDEC 標準パッケージ
- 300ml 20/26ピンのSOJ
- 300ミリ 20/26ピンのTSOP
単一の5V電源
• ESD 保護 ≥ 2001V
切断電流 ≥ 200 mA
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | アライアンス・メモリー |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | AS4C16M16D1 |
| タイプ | DDR1 |
| パッケージ | トレイ 代替パッケージ |
| マウントスタイル | SMD/SMT |
| パッケージケース | 60TFBGA |
| 動作温度 | 0°C~70°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 2.3V~2.7V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 60TFBGA (13x8) |
| 記憶容量 | 256M (16M x 16) |
| メモリタイプ | DDR SDRAM |
| スピード | 200MHz |
| アクセス時間 | 0.7 ns |
| フォーマットメモリ | RAM |
| 最大動作温度 | +70°C |
| 動作温度範囲 | 0 C |
| 組織 | 16 M × 16 |
| 供給電流最大 | 135mA |
| データバスの幅 | 16ビット |
| 供給電圧最大 | 2.7V |
| 供給電圧-分 | 2.3V |
| パッケージケース | TFBGA-60 |
| 最大 時計周波数 | 200 MHz |
記述
SDRAM - DDRメモリ IC 256Mb (16M x 16) パラレル200MHz 700ps 60-TFBGA (8x13)
DRAM 256M 2.5V 200Mhz 16M x 16 DDR1
AS4C16M16D1-5BCN IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA アライアンスメモリー,インク
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