DS1225AD-200+ IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP アナログデバイス株式会社/マキシム統合

モデル番号:DS1225AD-200+

最低注文量:1

支払条件:T/T

供給能力:ストック

配達時間:3~5 営業日

パッケージの詳細:アンチステティックバッグと紙箱

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Sanhuang electronics (Hong Kong) Co., Limited

確認済みサプライヤー

Shenzhen China

住所：第2520の第25床、ブロックAのアジア新しいGuoliの建物、Huaqiangの北の通り、シンセン、中国

サプライヤーの最後のログイン時間: 内 26 時間

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製品詳細会社概要

製品詳細

記述

DS1225ABとDS1225ADは65,536ビット,完全静的,不揮発性 SRAMで,8ビット分8192語に分類されている.各 NV SRAM には,自立のリチウムエネルギー源と制御回路があり,容量を超えた状態の VCC を常に監視します..

特徴

外部の電源がない場合,最低10年間のデータ保存
データが自動的に電源切れ時に保護されます.
8k x 8 の不安定な静的 RAM や EEPROM を直接置き換える
無制限の書き込みサイクル
低電力CMOS
JEDEC標準28ピンDIPパッケージ
読み書きアクセス時間は 70 ns まで速く
リチウムエネルギー源は,電力を初めて適用されるまで新鮮さを保持するために電気的に切断されています.
完全な ±10% VCC操作範囲 (DS1225AD)
任意のVCC動作範囲 ±5% (DS1225AB)
任意の産業用温度範囲 -40°Cから+85°C,IND

仕様

属性	属性値
製造者	マキシム統合
製品カテゴリー	メモリIC
シリーズ	DS1225AD
パッケージ	トューブ
マウントスタイル	穴を抜ける
パッケージケース	28DIPモジュール (0.600" 15.24mm)
動作温度	0°C~70°C (TA)
インターフェース	パラレル
電圧供給	4.5V~5.5V
供給者デバイスパッケージ	28 エディプ
記憶容量	64K (8K x 8)
メモリタイプ	NVSRAM (非揮発性 SRAM)
スピード	200nm
アクセス時間	200 ns
フォーマットメモリ	RAM
最大動作温度	+70°C
動作温度範囲	0 C
稼働供給電流	75mA
インターフェースタイプ	パラレル
組織	8k × 8
パート#アリアス	90-1225A+D00 DS1225AD
データバスの幅	8ビット
供給電圧最大	5.5V
供給電圧-分	4.5V
パッケージケース	EDIP-28

機能的に互換性のある部品

形式パッケージ機能互換性のある部品

製造者パーツ#	記述	製造者	比較する
DS1225Y-200+ 記憶力	非揮発性 SRAM モジュール,8KX8,200ns,CMOS,0.720 INCH,ROHSコンパイル,DIP-28	マキシム統合製品	DS1225AD-200+ と DS1225Y-200+
DS1225AB-200IND 記憶力	8KX8 非揮発性 SRAM モジュール, 200ns, PDMA28, 0.720 INCH, DIP-28	ロチェスター・エレクトロニクス	DS1225AD-200+ と DS1225AB-200IND
DS1225Y-200 記憶力	非揮発性 SRAM モジュール,8KX8,200ns,CMOS,0.720 INCH,DIP-28	マキシム統合製品	DS1225AD-200+ と DS1225Y-200
DS1225AD-200 記憶力	非揮発性 SRAM モジュール, 8KX8, 200ns, CMOS, PDIP28, 0.720 INCH, 拡張, DIP-28	ダラス・セミコンダクター	DS1225AD-200+ と DS1225AD-200
DS1225AB-200IND+ 記憶力	非揮発性 SRAM モジュール,8KX8,200ns,CMOS,PDMA28,0.720 INCH,ROHSコンパイル,DIP-28	マキシム統合製品	DS1225AD-200+ と DS1225AB-200IND+
BQ4010MA-200 記憶力	8KX8 非揮発性 SRAM モジュール,200ns,DMA28,DIP-28	テキサス・インストラクション	DS1225AD-200+ と BQ4010MA-200
BQ4010YMA-200 記憶力	8KX8 非揮発性 SRAM モジュール,200ns,PDIP28	テキサス・インストラクション	DS1225AD-200+ と BQ4010YMA-200
DS1225AB-200 記憶力	8KX8 非揮発性 SRAM モジュール, 200ns, PDMA28, 0.720 INCH, DIP-28	ロチェスター・エレクトロニクス	DS1225AD-200+ と DS1225AB-200
DS1225AB-200+ 記憶力	非揮発性 SRAM モジュール,8KX8,200ns,CMOS,PDMA28,0.720 INCH,ROHSコンパイル,DIP-28	マキシム統合製品	DS1225AD-200+ と DS1225AB-200+
DS1225AD-200IND+ 記憶力	非揮発性 SRAM モジュール,8KX8,200ns,CMOS,PDMA28,0.720 INCH,ROHSコンパイル,DIP-28	マキシム統合製品	DS1225AD-200+ と DS1225AD-200IND+