6116LA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

モデル番号:6116LA25SOG8
最低注文量:1
支払条件:T/T
供給能力:ストック
配達時間:3~5 営業日
パッケージの詳細:アンチステティックバッグと紙箱
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所: 第2520の第25床、ブロックAのアジア新しいGuoliの建物、Huaqiangの北の通り、シンセン、中国
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 26 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

製品詳細


記述

IDT6116SA/LAは,2K x 8として組織された16,384ビット高速静的RAMで,高性能,高信頼性のCMOS技術を使用して製造されています.

特徴
◆ 高速 アクセス と チップ 選択 時間
軍人: 20/25/35/45/55/70/90/120/150ns (最大)
工業用: 20/25ns (最大)
商用: 15/20/25ns (最大)
◆ 電力 消費 が 少なく
◆ バッテリー の 備蓄 動作
2Vのデータ保持電圧 (LAバージョンのみ)
◆ 高性能 の CMOS を 用い て 製造 さ れ た
テクノロジー
◆CMOS プロセス は,アルファ 粒子 の ソフト エラー を ほぼ 排除 する
税率
◆直接TTL対応の入力と出力
◆ 静的 動作: 時計 や 更新 の 必要 が ない
◆ 24 ピンのセラミック DIP,セラミック,プラスチック 24 ピンの Thin で入手可能
ディープと24ピンSOIC
◆ MIL-STD-833 に 準拠 する 軍用 製品,B クラス

仕様

属性属性値
製造者統合回路システム
製品カテゴリーメモリIC
シリーズ-
パッケージ代替包装
パッケージケース24-SOIC (0.295", 7.50mm 幅)
動作温度0°C~70°C (TA)
インターフェースパラレル
電圧供給4.5V~5.5V
供給者 デバイス パッケージ24-SOIC
記憶容量16K (2K x 8)
メモリタイプSRAM - アシンクロン
スピード25ns
フォーマットメモリRAM
機能的に互換性のある部品形式 パッケージ 機能互換性のある部品
製造者 パーツ#記述製造者比較する
6116LA20SOGI
記憶力
SOIC-24 チューブインテグレテッド デバイス テクノロジー インク6116LA25SOG8 対 6116LA20SOGI
6116LA20SOG
記憶力
SOIC-24 チューブインテグレテッド デバイス テクノロジー インク6116LA25SOG8 対 6116LA20SOG
STK22C48-SF25
記憶力
非揮発性 SRAM, 2KX8, 25ns, CMOS, PDSO28, 0.350 INCH, PLASTIC, SOIC-28シムテック株式会社6116LA25SOG8 対 STK22C48-SF25
6116LA25SOGI
記憶力
SOIC-24 チューブインテグレテッド デバイス テクノロジー インク6116LA25SOG8 対 6116LA25SOGI
6116LA25SOG
記憶力
SOIC-24 チューブインテグレテッド デバイス テクノロジー インク6116LA25SOG8 対 6116LA25SOG
STK22C48-SF45I
記憶力
2KX8 非揮発性 SRAM, 45ns, PDSO28,0.350 INCH,プラスティック,SOIC-28ロチェスター・エレクトロニクス6116LA25SOG8 対 STK22C48-SF45I
STK22C48-SF25I
記憶力
2KX8 非揮発性 SRAM, 25ns, PDSO28,0.350 INCH,プラスティック,SOIC-28ロチェスター・エレクトロニクス6116LA25SOG8 vs STK22C48-SF25I
STK22C48-NF45I
記憶力
2KX8 非揮発性 SRAM, 45ns, PDSO28, 0.300 INCH,プラスティック,SOIC-28ロチェスター・エレクトロニクス6116LA25SOG8 vs STK22C48-NF45I

記述

SRAM - アシンクロンメモリIC 16Kb (2K x 8) パラレル 25ns 24-SOIC
SRAM 16K アシンク 2Kx8 HS,L-Pwr,SRAM
China 6116LA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク supplier

6116LA25SOG8 IC SRAM 16KBIT PARALLEL 24SOIC レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク

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