S29AL008J70BFI023 IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48FBGA インフィニオン・テクノロジーズ
モデル番号:S29AL008J70BFI023
最低注文量:1
支払条件:T/T
供給能力:ストック
配達時間:3~5 営業日
パッケージの詳細:アンチステティックバッグと紙箱
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
第2520の第25床、ブロックAのアジア新しいGuoliの建物、Huaqiangの北の通り、シンセン、中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 26 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
製品詳細
記述
S29AL008Dは 8 Mbit,3.0 ボルトのみのフラッシュメモリで,048,576バイトまたは524,288語.デバイスは48ボールのFBGA,44ピンSO,および48ピンTSOPパッケージで提供されています.詳細については,出版番号21536を参照してください.単語のデータ (x16) は DQ15 〜 DQ0 に表示されます.; バイト幅 (x8) のデータは DQ7 〜 DQ0 に表示されます.このデバイスは,読み込み,プログラム,消去操作を実行するには,単一の3.0ボルトのVCC供給のみを必要とします.標準的なEPROMプログラマもデバイスをプログラムし消すのに使用できます.仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | サイパス半導体 |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | AL-J |
| パッケージ | テープ&ロール (TR) 代替包装 |
| パッケージケース | 48-VFBGA |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 2.7V~3.6V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 48-FBGA (8.15×6.15) |
| 記憶容量 | 8M (1M x 8 または 512K x 16) |
| メモリタイプ | FLASH - NOR |
| スピード | 70n |
| フォーマットメモリ | フラッシュ |
| 製造者 パーツ# | 記述 | 製造者 | 比較する |
| AT49BV802D-70CU 記憶力 | フラッシュ, 512KX16, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM ピッチ,グリーン,プラスティック,CBGA-48 | アトメル株式会社 | S29AL008J70BFI023 対 AT49BV802D-70CU |
| S29AL008J70BFI020 記憶力 | フラッシュ,512KX16,70ns PBGA48,FPBGA48 | サイパス半導体 | S29AL008J70BFI023 対 S29AL008J70BFI020 |
| M29W800DB70ZE6 記憶力 | 512KX16 フラッシュ 3V PROM, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM ピッチ, TFBGA-48 | STMマイクロ電子機器 | S29AL008J70BFI023 対 M29W800DB70ZE6 |
| M29W800DB70ZE6E 記憶力 | フラッシュ,512KX16,70ns,PBGA48,TFBGA-48 | マイクロン・テクノロジー | S29AL008J70BFI023 対 M29W800DB70ZE6E |
| S29AL008D70BFI020 記憶力 | フラッシュ,512KX16,70ns,PBGA48,8.15 X 6.15 MM,リードフリー,FBGA-48 | サイパス半導体 | S29AL008J70BFI023 対 S29AL008D70BFI020 |
| S29AL008J70BFI022 記憶力 | フラッシュ,512KX16,70ns PBGA48,FPBGA48 | サイパス半導体 | S29AL008J70BFI023 対 S29AL008J70BFI022 |
| S29AL008J70BFN020 記憶力 | フラッシュ,512KX16,70ns PBGA48,FPBGA48 | サイパス半導体 | S29AL008J70BFI023 対 S29AL008J70BFN020 |
| MX29LV800BBXEI-70G 記憶力 | フラッシュ, 512KX16, 70ns, PBGA48, 6 X 8MM, 1.30MM HEIGHT, 0.80MM PITCH,鉛のない,プラスティック,MO-219,CSP-48 | マクロニックス・インターナショナル・コー・株式会社 | S29AL008J70BFI023 対 MX29LV800BBXEI-70G |
| M29W800DB70ZE6F 記憶力 | フラッシュ,512KX16,70ns,PBGA48,TFBGA-48 | マイクロン・テクノロジー | S29AL008J70BFI023 対 M29W800DB70ZE6F |
| S29AL008J70BFN040 記憶力 | フラッシュ,512KX16,70ns PBGA48,FPBGA48 | サイパス半導体 | S29AL008J70BFI023 対 S29AL008J70BFN040 |
記述
FLASH - NOR メモリIC 8Mb (1M x 8, 512K x 16) パラレル70ns 48-FBGA
(8.15x6.15)
NORフラッシュ パラレル 3V/3.3V 8M ビット 1M x 8/512K x 16 70ns 48ピン VFBGA T/R
フラッシュメモリ IC 8M フラッシュメモリ
S29AL008J70BFI023 IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48FBGA インフィニオン・テクノロジーズ
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