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属性 | 属性値 |
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製造者 | サイパス半導体 |
製品カテゴリー | メモリIC |
シリーズ | AL-J |
パッケージ | テープ&ロール (TR) 代替包装 |
パッケージケース | 48-VFBGA |
動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
インターフェース | パラレル |
電圧供給 | 2.7V~3.6V |
供給者 デバイス パッケージ | 48-FBGA (8.15×6.15) |
記憶容量 | 8M (1M x 8 または 512K x 16) |
メモリタイプ | FLASH - NOR |
スピード | 70n |
フォーマットメモリ | フラッシュ |
製造者 パーツ# | 記述 | 製造者 | 比較する |
AT49BV802D-70CU 記憶力 | フラッシュ, 512KX16, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM ピッチ,グリーン,プラスティック,CBGA-48 | アトメル株式会社 | S29AL008J70BFI023 対 AT49BV802D-70CU |
S29AL008J70BFI020 記憶力 | フラッシュ,512KX16,70ns PBGA48,FPBGA48 | サイパス半導体 | S29AL008J70BFI023 対 S29AL008J70BFI020 |
M29W800DB70ZE6 記憶力 | 512KX16 フラッシュ 3V PROM, 70ns, PBGA48, 6 X 8 MM, 0.80 MM ピッチ, TFBGA-48 | STMマイクロ電子機器 | S29AL008J70BFI023 対 M29W800DB70ZE6 |
M29W800DB70ZE6E 記憶力 | フラッシュ,512KX16,70ns,PBGA48,TFBGA-48 | マイクロン・テクノロジー | S29AL008J70BFI023 対 M29W800DB70ZE6E |
S29AL008D70BFI020 記憶力 | フラッシュ,512KX16,70ns,PBGA48,8.15 X 6.15 MM,リードフリー,FBGA-48 | サイパス半導体 | S29AL008J70BFI023 対 S29AL008D70BFI020 |
S29AL008J70BFI022 記憶力 | フラッシュ,512KX16,70ns PBGA48,FPBGA48 | サイパス半導体 | S29AL008J70BFI023 対 S29AL008J70BFI022 |
S29AL008J70BFN020 記憶力 | フラッシュ,512KX16,70ns PBGA48,FPBGA48 | サイパス半導体 | S29AL008J70BFI023 対 S29AL008J70BFN020 |
MX29LV800BBXEI-70G 記憶力 | フラッシュ, 512KX16, 70ns, PBGA48, 6 X 8MM, 1.30MM HEIGHT, 0.80MM PITCH,鉛のない,プラスティック,MO-219,CSP-48 | マクロニックス・インターナショナル・コー・株式会社 | S29AL008J70BFI023 対 MX29LV800BBXEI-70G |
M29W800DB70ZE6F 記憶力 | フラッシュ,512KX16,70ns,PBGA48,TFBGA-48 | マイクロン・テクノロジー | S29AL008J70BFI023 対 M29W800DB70ZE6F |
S29AL008J70BFN040 記憶力 | フラッシュ,512KX16,70ns PBGA48,FPBGA48 | サイパス半導体 | S29AL008J70BFI023 対 S29AL008J70BFN040 |