装置の説明
このセクションは,Intel® Advanced+ ブートブロックフラッシュメモリ (C3)
デバイスの機能,パッケージ,信号命名,デバイスアーキテクチャの概要を提供します.
製品概要
C3デバイスは,16ビットデータバスでパッケージ互換性密度の高性能アシンクロン読み取りを提供します.個別に消すメモリブロックは,コードとデータストレージのために最適サイズです.8つの4
Kwordパラメータブロックは,デバイスのメモリーマップの上または下のいずれかのブートブロックに位置しています残りのメモリ配列は 32
Kword メインブロックに分類されます.
製品の特徴
■ 柔軟なスマート電圧技術
読み込み/プログラム/削除
快速生産プログラムのために12V
■ 1.65 V/2.5 Vまたは 2.7 V/3.6 V I/O オプション
システム全体の電力を減らす
■ 高性能
¥2.7 V¥3.6 V:最大アクセス時間70 ns
■コードプラスデータストレージのための最適化されたアーキテクチャ
八つの4kwordブロック,上または下のパラメータブート
百二十七 32 Kword ブロックまで
快速プログラム停止能力
快速消去 停止 能力
■ 柔軟なブロックロック
ブロックをロック/ロック解除
完全保護 充電時に
ハードウェアブロック保護用のピン
■ 低電力消費
平均読み込みは9mA
自動省エネ機能 (APS) を備えた典型的な待機状態
■ 拡張温度操作
¥40 °Cから+85 °C
■ 128 ビットの保護登録
64 ビット 単一のデバイス識別子
64 ビット プログラム可能な OTP セル
■ サイクリング能力の拡大
ブロック消去サイクルを少なくとも10万回
■ ソフトウェア
Intel®フラッシュデータインテグレーター (FDI)
サポート トップまたはボトムブートストレージ,ストリーミングデータ (例えば,音声)
¢インテル 基本コマンドセット
共同フラッシュインターフェイス (CFI)
■ 標準的な表面マウントパッケージ
¥48ボール μBGA*/VFBGA
64ボールのBGAパッケージ
〜48-リードTSOPパッケージ
■ ETOXTM VIII (0.13 μm) フラッシュ テクノロジー
¥16, 32 Mbit
■ ETOXTM VII (0.18 μm) フラッシュ テクノロジー
¥16,32,64 Mbit
■ ETOXTM VI (0.25 μm) フラッシュ テクノロジー
¥8,16と32 Mbit