機能説明
DDR
SDRAMは高速操作を達成するために二重データレートアーキテクチャを使用する.ダブルデータレートアーキテクチャは,本質的にI/Oピンのクロックサイクルごとに2つのデータワードを転送するように設計されたインターフェースを持つ2nプレフェッチアーキテクチャです.
DDR SDRAM の単一の読み書きアクセスは,内部 DRAM コアで単一の 2n ビット幅, 1 クロックサイクルデータ転送と 2
つの対応する n ビット幅で構成されています.I/Oピンの半時間のデータ転送.
特徴
VDD = +2.5V ±0.2V,VDDQ = +2.5V ±0.2V
VDD = +2.6V ±0.1V,VDDQ = +2.6V ±0.1V (DDR400)
双方向データストロブ (DQS) 送信
データ,すなわち源同期データで受信された
捕捉 (x16 はバイト 1 バイト 1 バイト 1 バイト 1 バイト 1 バイト 1 バイト 1 バイト 1 バイト 1 バイト
1
• 内部,パイプラインド・ダブル・データ・レート (DDR)
建築: 時計サイクルあたり2つのデータアクセス
• 差点時計入力 (CK と CK#)
• ポジティブな CK エッジごとに入力されたコマンド
• DQSは, READのデータとエッジアライナインされ,WRITEのデータとセンターアライナインされる
• DQとDQSの移行をCKと調整するDLL
• 4つの内部銀行が同時に機能する
• 書き込みデータをマスクするためのデータマスク (DM)
(x16 はバイトあたり 2 ∼ 1 バイトがあります)
• プログラム できる 爆発 長さ: 2,4,または 8
• オートリフレッシュ
64ms, 8192サイクル (商業および産業用)
16ms 8192サイクル (自動車)
• 自動更新 (AT デバイスでは利用できません)
信頼性の向上のための長時間TSOP (OCPL)
■ 2.5V I/O (SSTL_2対応)
• 同期自動前充電オプションがサポートされています.
•tRASロックアウトサポート (tRAP = tRCD)