MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP マイクロンテクノロジー株式会社

モデル番号:MT46V32M16P-5B:J TR
最低注文量:1
支払条件:T/T
供給能力:ストック
配達時間:3~5 営業日
パッケージの詳細:アンチステティックバッグと紙箱
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所: 第2520の第25床、ブロックAのアジア新しいGuoliの建物、Huaqiangの北の通り、シンセン、中国
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製品詳細 会社概要
製品詳細

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機能説明

DDR SDRAMは高速操作を達成するために二重データレートアーキテクチャを使用する.ダブルデータレートアーキテクチャは,本質的にI/Oピンのクロックサイクルごとに2つのデータワードを転送するように設計されたインターフェースを持つ2nプレフェッチアーキテクチャです. DDR SDRAM の単一の読み書きアクセスは,内部 DRAM コアで単一の 2n ビット幅, 1 クロックサイクルデータ転送と 2 つの対応する n ビット幅で構成されています.I/Oピンの半時間のデータ転送.

特徴

VDD = +2.5V ±0.2V,VDDQ = +2.5V ±0.2V
VDD = +2.6V ±0.1V,VDDQ = +2.6V ±0.1V (DDR400)
双方向データストロブ (DQS) 送信
データ,すなわち源同期データで受信された
捕捉 (x16 はバイト 1 バイト 1 バイト 1 バイト 1 バイト 1 バイト 1 バイト 1 バイト 1 バイト 1 バイト 1
• 内部,パイプラインド・ダブル・データ・レート (DDR)
建築: 時計サイクルあたり2つのデータアクセス
• 差点時計入力 (CK と CK#)
• ポジティブな CK エッジごとに入力されたコマンド
• DQSは, READのデータとエッジアライナインされ,WRITEのデータとセンターアライナインされる
• DQとDQSの移行をCKと調整するDLL
• 4つの内部銀行が同時に機能する
• 書き込みデータをマスクするためのデータマスク (DM)
(x16 はバイトあたり 2 ∼ 1 バイトがあります)
• プログラム できる 爆発 長さ: 2,4,または 8
• オートリフレッシュ
64ms, 8192サイクル (商業および産業用)
16ms 8192サイクル (自動車)
• 自動更新 (AT デバイスでは利用できません)
信頼性の向上のための長時間TSOP (OCPL)
■ 2.5V I/O (SSTL_2対応)
• 同期自動前充電オプションがサポートされています.
•tRASロックアウトサポート (tRAP = tRCD)

仕様

属性属性値
製造者マイクロン・テクノロジー株式会社
製品カテゴリーメモリIC
シリーズ-
パッケージテープ&ロール (TR) 代替包装
パッケージケース66-TSSOP (0.400", 10.16mm 幅)
動作温度0°C~70°C (TA)
インターフェースパラレル
電圧供給2.5V~2.7V
供給者 デバイス パッケージ66-TSOP
記憶容量512M (32M x 16)
メモリタイプDDR SDRAM
スピード5ns
フォーマットメモリRAM

記述

SDRAM - DDRメモリIC 512Mb (32M x 16) パラレル200MHz 700ps 66-TSOP
DRAMチップ DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 2.6V 66ピンTSOP T/R
China MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP マイクロンテクノロジー株式会社 supplier

MT46V32M16P-5B:J TR IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP マイクロンテクノロジー株式会社

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