CY7C2663KV18-450BZI IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA インフィニオン・テクノロジーズ
モデル番号:CY7C2663KV18-450BZI
最低注文量:1
支払条件:T/T
供給能力:ストック
配達時間:3~5 営業日
パッケージの詳細:アンチステティックバッグと紙箱
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
第2520の第25床、ブロックAのアジア新しいGuoliの建物、Huaqiangの北の通り、シンセン、中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 26 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
製品詳細
機能説明
CY7C266は8ビットCMOSPROMによる高性能8192ワードである.選択解除すると,CY7C266は自動的に低電力待機モードに起動する.600ミリ幅のパッケージにパッケージされている.再プログラム可能なパッケージは,削除ウィンドウを装備されています;UV光にさらされると,これらのPROMは消去され,再プログラムすることができます.メモリセルには,実証されたEPROM浮遊ゲート技術とバイト幅のインテリジェントプログラミングアルゴリズムが利用されています.特徴
• CMOS で 最適 の 速度/ 電力 を 確保 する• 再プログラム可能な窓
• 高速
商用品
• 低電力
660mW (商業用)
• 超低待機電源
選択解除時 85mW未満
• EPROM 技術は100%プログラム可能
5V ±10% VCC,商業用および軍事用
• TTL対応のI/O
• 27C64 EPROM を直接交換する
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | サイパス半導体 |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | CY7C2663KV18 |
| タイプ | シンクロン |
| パッケージ | トレー |
| マウントスタイル | SMD/SMT |
| パッケージケース | 165-LBGA |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 1.7V~1.9V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 165-FBGA (15x17) |
| 記憶容量 | 144M (8M x 18) |
| メモリタイプ | SRAM - 同期,QDR II+ |
| スピード | 450MHz |
| アクセス時間 | 0.45 ns |
| フォーマットメモリ | RAM |
| 最大動作温度 | + 85C |
| 動作温度範囲 | - 40°C |
| インターフェースタイプ | パラレル |
| 組織 | 8 M × 18 |
| 供給電流最大 | 940 mA |
| 供給電圧最大 | 1.9V |
| 供給電圧-分 | 1.7V |
| パッケージケース | FBGA-165 |
| 最大 時計周波数 | 450 MHz |
記述
SRAM - 同期QDR II+メモリIC 144Mb (8M x 18) パラレル450MHz 165-FBGA (15x17)
SRAMチップシンクロ 双 1.8V 144M-ビット 8M x 18 0.45ns 165-ピン FBGA トレイ
SRAM 144Mb 1.8V 450Mhz 8M x 18 QDR II SRAM
CY7C2663KV18-450BZI IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA インフィニオン・テクノロジーズ
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