S29GL128P90TFIR10 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP インフィニオン・テクノロジーズ
モデル番号:S29GL128P90TFIR10
最低注文量:1
支払条件:T/T
供給能力:ストック
配達時間:3~5 営業日
パッケージの詳細:アンチステティックバッグと紙箱
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
第2520の第25床、ブロックAのアジア新しいGuoliの建物、Huaqiangの北の通り、シンセン、中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 26 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
製品詳細
1 ギガビット,512 メガビット,256 メガビットおよび 128 メガビット 3.0 ボルトのみのページモードフラッシュメモリ,90nmのミラービットプロセス技術
一般説明
Spansion S29GL01G/512/256/128Pは,90nmプロセス技術で製造されたミラービット®フラッシュ製品である.これらのデバイスは,対応するランダムアクセス時間が 90 ns までの高速で 25 ns の高速ページアクセス時間を提供します. 文字・バイトの最大32文字/64バイトを1回の操作でプログラムできるようにする書き込みバッファが搭載されており,標準プログラミングアルゴリズムよりも効率的なプログラミング時間が短くなっています.より高い密度を必要とするインベテッドアプリケーションに最適です性能が向上し 消費電力が低くなっています特徴
■単一の3V読み込み/プログラム/消去 (2.7-3.6V)■ 汎用化/OTM制御の強化
すべての入力レベル (アドレス,制御,DQ入力レベル) と出力は,VIO入力上の電圧によって決定されます.VIO範囲は1.65からVCCです.
■ 90nm ミラービット プロセスの技術
■ 8 文字/16 バイト の ページ 読み込み バッファー
■ 32語/64バイトの書き込みバッファは,複数の単語更新のプログラム時間を全体的に短縮します
■ 安全なシリコンセクター地域
8文字/16バイトのランダム電子シリアル番号による永久かつ安全な識別のための128文字/256バイトのセクター
工場または顧客によってプログラムされ,ロックすることができます
■ 64 Kword/128 Kbyte の 単一 セクター アーキテクチャ
S29GL01GP: 一千二十四部門
S29GL512P: 512部門
S29GL256P: 256部門
S29GL128P: 一百二十八部門
■ 業界ごとに10万回の消去サイクル
■ 20 年間のデータ保存
■ 提供されたパッケージ
56ピンのTSOP
64ボール 強化BGA
■ プログラムと消去操作のコマンドを停止し再開する
■ 書き込み操作状態ビット プログラムと削除操作の完了を示します
■ プログラム 時間を短縮する バイパス プログラム コマンド の 解錠
■ CFI (Common Flash Interface) をサポートする
■ 先進的な部門保護の持続的方法とパスワード方法
■ WP#/ACC入力
システム生産中により多くのスループットのためにプログラミング時間を加速 (VHHが適用される場合)
部門保護設定に関係なく,最初のまたは最後のセクターを保護します.
■ ハードウェアリセット入力 (RESET#) リセットデバイス
■ Ready/Busy#出力 (RY/BY#) は,プログラムまたは消去サイクル完了を検出します.
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | サイパス半導体 |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | GL-P |
| パッケージ | トレイ 代替パッケージ |
| マウントスタイル | SMD/SMT |
| 動作温度範囲 | -40°Cから+85°C |
| パッケージケース | 56-TFSOP (0.724", 18.40mm 幅) |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 2.7V~3.6V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 56-TSOP |
| 記憶容量 | 128M (16M x 8) |
| メモリタイプ | FLASH - NOR |
| スピード | 90n |
| 建築 | セクター |
| フォーマットメモリ | フラッシュ |
| インターフェースタイプ | パラレル |
| 組織 | 16 M × 8 |
| 供給電流最大 | 110 mA |
| データバスの幅 | 8ビット |
| 供給電圧最大 | 3.6V |
| 供給電圧-分 | 2.7V |
| パッケージケース | TSOP-56 |
| タイムタイプ | アシンクロン |
機能的に互換性のある部品
形式 パッケージ 機能互換性のある部品
| 製造者 パーツ# | 記述 | 製造者 | 比較する |
| S29GL128P90TAIR20 記憶力 | フラッシュ, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56 | サイパス半導体 | S29GL128P90TFIR10対S29GL128P90TAIR20 |
| S29GL128P90TFCR13 記憶力 | フラッシュ, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56 | サイパス半導体 | S29GL128P90TFIR10対S29GL128P90TFCR13 |
| S29GL128P90TFIR23 記憶力 | フラッシュ, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56 | サイパス半導体 | S29GL128P90TFIR10対S29GL128P90TFIR23 |
| S29GL128P90TFCR20 記憶力 | フラッシュ, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56 | サイパス半導体 | S29GL128P90TFIR10対S29GL128P90TFCR20 |
| S29GL128P90TFCR23 記憶力 | フラッシュ, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56 | サイパス半導体 | S29GL128P90TFIR10対S29GL128P90TFCR23 |
| S29GL128P90TFIR13 記憶力 | フラッシュ, 128MX1, 90ns, PDSO56, 20 X 14 MM,リードフリー, MO-142EC, TSOP-56 | 拡大 | S29GL128P90TFIR10対S29GL128P90TFIR13 |
| S29GL128P90TAIR13 記憶力 | フラッシュ, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56 | サイパス半導体 | S29GL128P90TFIR10対S29GL128P90TAIR13 |
| S29GL128P90TAIR23 記憶力 | フラッシュ, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56 | サイパス半導体 | S29GL128P90TFIR10対S29GL128P90TAIR23 |
| S29GL128P90TFCR10 記憶力 | フラッシュ, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56 | サイパス半導体 | S29GL128P90TFIR10対S29GL128P90TFCR10 |
| S29GL128P90TFIR20 記憶力 | フラッシュ, 128MX1, 90ns, PDSO56, 20 X 14 MM,リードフリー, MO-142EC, TSOP-56 | 拡大 | S29GL128P90TFIR10対S29GL128P90TFIR20 |
記述
FLASH - NOR メモリ IC 128Mb (16M x 8) パラレル 90ns 56-TSOP
NOR フラッシュ パラレル 3V/3.3V 128Mビット 16M x 8/8M x 16 90ns 56ピンのTSOPトレイ
フラッシュメモリ 128Mb 3V 90ns NOR フラッシュ
S29GL128P90TFIR10 IC FLASH 128MBIT PARALLEL 56TSOP インフィニオン・テクノロジーズ
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