CY7C1313KV18-250BZXI IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA インフィニオン・テクノロジーズ
モデル番号:CY7C1313KV18-250BZXI
最低注文量:1
支払条件:T/T
供給能力:ストック
配達時間:3~5 営業日
パッケージの詳細:アンチステティックバッグと紙箱
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所：
第2520の第25床、ブロックAのアジア新しいGuoliの建物、Huaqiangの北の通り、シンセン、中国
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内 26 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
製品詳細
機能説明
CY7C1311KV18,CY7C1911KV18,CY7C1313KV18,およびCY7C1315KV18は,QDR IIアーキテクチャを搭載した1.8V同期パイプライン SRAMである.QDR IIアーキテクチャは2つの別々のポートで構成される.メモリ配列にアクセスする読み口と書き口読み込みポートには読み込み操作をサポートする専用データ出力があり,書き込みポートには書き込み操作をサポートする専用データ出力があります.QDR IIアーキテクチャは,一般的な I/O デバイスで存在するデータバスに"ターンアロウンド"する必要性を完全に排除するために,別々のデータ入力とデータ出力があります..特徴
■ 独立した読み書きデータポートを分離合流取引をサポートする
■ 333MHz のクロック
■ アドレス バス の 頻度 を 減らす 4 文字 の 爆発
■ 読み書きポートの両方の2倍データレート (DDR) インターフェース (333MHzで666MHzでデータ転送)
■ 2 つの入力クロック (K と K) で,正確なDRDタイムリング
SRAM は 上昇する辺のみを使用します
■ 2つの入力クロックで出力データ (CとC) を入力し,クロック偏差と飛行時間の不一致を最小限に抑える
■ エコークロック (CQ と CQ) は高速システムでのデータ収集を簡素化します
■ 単一マルチプレックスアドレス入力バス 読み書きポートのアドレス入力
■深さ拡大のために別々のポートを選択する
■ シンクロン 内部 自律 書き込み
■ QDR® II は,DOFF が HIGH に設定されているとき,1.5 サイクル読み込み遅延で動作します.
■ DOFF が低値に設定されている場合,1サイクル読み込み遅延でQDR I デバイスに類似して動作します
■ ×8, ×9, ×18 と ×36 の構成で利用可能
■ 最新のデータを提供する完全なデータ一貫性
■コアVDD=1.8V (±0.1V);I/OVDDQ=1.4VからVDD
1.5Vと1.8VのI/O供給の両方をサポートします.
■ 165 ボール FBGA パッケージ (13 × 15 × 1.4 mm) で提供
■Pb のないパッケージとPb のないパッケージの両方で提供されます
■ 変動駆動 HSTL 出力バッファ
■ JTAG 1149.1 に対応する試験アクセスポート
■ PLL は,正確なデータ配置を可能にします
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | サイパス半導体 |
| 製品カテゴリー | メモリIC |
| シリーズ | CY7C1313KV18 |
| タイプ | シンクロン |
| パッケージ | トレー |
| マウントスタイル | SMD/SMT |
| パッケージケース | 165-LBGA |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| インターフェース | パラレル |
| 電圧供給 | 1.7V~1.9V |
| 供給者 デバイス パッケージ | 165-FBGA (13x15) |
| 記憶容量 | 18M (1M x 18) |
| メモリタイプ | SRAM - 同期,QDRII |
| スピード | 250MHz |
| アクセス時間 | 0.45 ns |
| フォーマットメモリ | RAM |
| 最大動作温度 | + 85C |
| 動作温度範囲 | - 40°C |
| インターフェースタイプ | パラレル |
| 組織 | 1 M × 18 |
| 供給電流最大 | 440 mA |
| 供給電圧最大 | 1.9V |
| 供給電圧-分 | 1.7V |
| パッケージケース | FBGA-165 |
| 最大 時計周波数 | 250 MHz |
| 製造者 パーツ# | 記述 | 製造者 | 比較する |
| CY7C1313KV18-250BZC 記憶力 | QDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 | サイパス半導体 | CY7C1313KV18-250BZXI 対 CY7C1313KV18-250BZC |
| CY7C1313KV18-250BZXC 記憶力 | QDR SRAM,1MX18,0.45ns,CMOS,PBGA165,FBGA-165 | サイパス半導体 | CY7C1313KV18-250BZXI 対 CY7C1313KV18-250BZXC |
| CY7C1313KV18-250BZI 記憶力 | QDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, MO-216, FBGA-165 | サイパス半導体 | CY7C1313KV18-250BZXI 対 CY7C1313KV18-250BZI |
記述
SRAM - 同期QDRIIメモリIC 18Mb (1M x 18) パラレル250MHz 165-FBGA (13x15)
SRAMチップシンクロ 双 1.8V 18M-ビット 1M x 18 0.45ns 165-ピン FBGA トレイ
SRAM 18Mb 250Mhz 1.8V 1M x 18 QDR II SRAM
CY7C1313KV18-250BZXI IC SRAM 18MBIT PAR 165FBGA インフィニオン・テクノロジーズ
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