DF2329BVTE25WV IC MCU 16BIT 384KB FLASH 120TQFP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
モデル番号:DF2329BVTE25WV
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支払条件:T/T
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パッケージの詳細:帯電防止袋及び板紙箱
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Shenzhen China
住所：
第2520の第25床、ブロックAのアジア新しいGuoliの建物、Huaqiangの北の通り、シンセン、中国
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製品詳細
会社概要
製品詳細
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[オート・エクセレンス]
P7-Dプッシュボタンスイッチは,輪形ドームスタイルのプッシュボタンを持つ一時的なスイッチです. 2つのデザインバージョンが提供されています.フラッシュドームと上昇ドームボタンプロファイル.P7-Dは,より短い背面パネル深さを備えています防塵と湿気密閉構造 厳格な条件下で動作する際の優れた機械的および電気的性能
1アンパーの抵抗力で100万回,全定位負荷で5アンパーの抵抗力または3アンパーの誘導力で5万回.特徴:
• 魅力 的 な ドーム 式 の ボタン• 低レベルの切り替え能力
• 25mΩ未満の接触抵抗
• 接触 圧力 が 高く
• 6 つの回路の変形
• 感触 に よる 肯定 的 な 反応
• 装着 の 様式 が 異なっ た
• MIL-PRF-8805/110 に準拠して製造された (QPLなし)
• UL 認定
• IP64 と MIL-PRF-8805 デザイン 2 に 防塵 または IP68S に 防水
仕様
| 属性 | 属性値 |
|---|---|
| 製造者 | レネサス・エレクトロニクス アメリカ |
| 製品カテゴリー | マイクロコントローラー |
| シリーズ | H8R H8S/2300 |
| パッケージ | トレー |
| パッケージケース | 120-TQFP |
| 動作温度 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 供給者 デバイス パッケージ | 120-TQFP (14x14) |
| I-O の数 | 86 I/O |
| スピード | 25MHz |
| EEPROM サイズ | - |
| コアプロセッサ | H8S/2000 |
| RAM サイズ | 32K × 8 |
| プログラムメモリ | フラッシュ |
| 周辺機器 | DMA,POR,PWM,WDT |
| 接続性 | SCI スマートカード |
| 電圧供給Vcc-Vdd | 2.7V~3.6V |
| コアサイズ | 16ビット |
| プログラムメモリ サイズ | 384KB (384K x 8) |
| データ変換機 | A/D 8x10b; D/A 2x8b |
| オスイレーター型 | 内部 |
記述
H8S/2000 H8? H8S/2300 マイクロコントローラIC 16-ビット 25MHz 384KB (384K x 8)
FLASH 120-TQFP (14x14)
MCU 32ビット H8S CISC 384KB フラッシュ 3.3V 120ピン TQFP トレイ
DF2329BVTE25WV IC MCU 16BIT 384KB FLASH 120TQFP レネサス・エレクトロニクス・アメリカ・インク
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