安定した85MHZフラッシュ・メモリIC 16MBIT SPI 8SOIC AT45DB161E-SHD-T

記述

Atmel AT45DB161Eは2.3Vまたは2.5V最低、理想的にいろいろデジタル音声に、イメージ適する、連続インターフェイス順次アクセスフラッシュ・メモリ プログラム コードおよびデータ記憶の適用である。AT45DB161Eはまた非常に高速操作を要求する適用のための急流のシリアル・インタフェースを支える。記憶のその17,301,504ビットは512バイトまたは528バイトそれぞれの4,096ページとして組織される。主記憶操置に加えて、AT45DB161Eはまたバイト512/528のの2つのSRAMの緩衝をそれぞれ含んでいる。緩衝は主記憶操置のページがプログラムし直されている間データの受け入れを可能にする。両方の緩衝の間で入れ込むことは計量値の流れを書くシステムの能力を劇的増加できる。さらに、SRAMの緩衝はpademory付加的なシステム傷として使用しE2PROMの模範化ははめ込み式スリー ステップと（ビットまたはバイトのalterability）読書変更書く操作を容易に扱うことができる。

特徴

単一2.3V - 3.6Vか2.5V - 3.6V供給
互換性があるの連続周辺機器インターフェイス（SPI）
はSPIモード0および3を支える
はAtmel® RapidS™操作を支える
全体の配列によるの連続的な読まれた機能
85MHzまでの
10MHzまでののローパワー読まれた選択
6ns最高のの時計に出力時間（TV）
のユーザーの構成可能のページ サイズ
ページごとの512バイト
ページ（デフォルト）ごとの528バイト
のページ サイズは512バイトのために前もって構成される工場である場合もある
2完全に独立したSRAMのデータ バッファ（バイト512/528の）
主記憶操置配列をプログラムし直している間データを受け取るAllows
の適用範囲が広いプログラミングの選択
主記憶操置へののバイト/ページ プログラム（1にバイト512/528の）直接
の緩衝書くため
は主記憶操置ページ プログラムに緩衝する
の適用範囲が広い消去の選択
のページの消去（バイト512/528の）
は妨げる消去（4KB）を
のセクターの消去（128KB）
は欠く消去（16-Mbits）を
のプログラムおよび消去は中断したり/概要
高度ハードウェアおよびソフトウェア データ保護の特徴
の個々のセクターの保護
のセクターを永久に読み取り専用にする個々のセクターのロック式
128バイト、一度だけのプログラム可能な（OTP）保証記録
単一識別子とプログラムされる64バイトの工場
プログラム可能な64バイトのユーザー
ソフトウェア リセット制御機構
JEDEC標準的な製造業者および装置IDは読んだ
のローパワー消滅
500nAのUltra-Deepパワー現在（典型的）
3μAの深いパワー現在（典型的）
25μAのスタンバイの流れ（典型的な）
11mAの活動的な読まれた流れ（典型的な）
の持久力:ページの最低ごとの100,000のプログラム/消去周期
データ保持:20年
は完全な産業温度較差に従う
の緑（迎合的なPb/Halide-free/RoHS）の包装の選択
の8鉛SOIC （0.150"広い）
の8パッド極めて薄いDFN （5 x 6 x 0.6mm）
の9ボールの破片スケールBGA （5 x 5 x 1.2mm）