BLF248 について112
カテゴリー:離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
RF FET,MOSFET
製品の状況:時代遅れ
マウントタイプ:シャーシマウント
評価される電圧-:65ボルト
パッケージ:トレー
構成:2つのN-Channelの（二重）共通のソース
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Shenzhen China
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添付:#2307 ハンユアン西ビル, 禅華道, 福建区, 深??, 中国
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内 40 時間
製品詳細
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RF モスフェット 28 V 225MHz 11.5dB 300W CDFM4
BLF248 について112
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