BLF878,112
カテゴリー:離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
RF FET,MOSFET
製品の状況:時代遅れ
マウントタイプ:シャーシマウント
評価される電圧-:89V
パッケージ:トレー
構成:二重 共通 源
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Shenzhen China
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添付:#2307 ハンユアン西ビル, 禅華道, 福建区, 深??, 中国
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内 40 時間
製品詳細
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製品詳細
RF モスフェット 40 V 1.4 A 860MHz 21dB 300W CDFM2
BLF878,112
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