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モリブデンリング&ディスク
詳細
材料:純粋モリブデン 99.95%Min
密度10.2g/cc
溶融点: 2610C
我々は顧客の要求に応じて製造することができます
電気の優れた伝導性
高温耐性
高度な溶融点,高酸化と侵食耐性
化学的要件
エレメント | ニ | 塩分 | フェ | Pb | アール | バイ | そうだ | Cd | CA について | P |
濃度 (%) | 0.003 | 0.002 | 0.005 | 0.0001 | 0.002 | 0.0001 | 0.002 | 0.0001 | 0.002 | 0.001 |
エレメント | C について | オー | N | Sb | Sn | モー |
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濃度 (%) | 0.01 | 0.003 | 0.003 | 0.0005 | 0.0001 | バランス |
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パラメータ
原子番号 | 42 |
CAS番号 | 7439-98-7 |
原子質量 | 95.94 [g/mol] |
溶融点 | 2620 °C |
沸点 | 4639 °C |
密度 20 °C | 10.22 [g/cm] |
結晶構造 | 身体を中心とした立方体 |
20 °C の線形熱膨張係数 | 5.210-6 [m/mK] |
20°Cでの熱伝導性 | 142 [W/mK] |
20 °C の特異熱 | 0.25 [J/gK] |
電気伝導性 20 °C | 17.9106 [S/m] |
20°Cの特異電圧抵抗 | 0.056 [mm2/m] |
申請
モリブデン環は,電源半導体装置や熱シンクベースのためのシリコン制御直導二極管,トランジスタ,チリスターマウント材料の接触材料として広く使用されています.
特徴
1モリブデンディスクは,シリコン制御直導体,トランジスタ,タイリスターのダイオードに接触材料として広く使用されています.
2さらに,IC,LSIおよびハイブリッド回路における熱シンクベースとしてモリブデンディスクの使用を含む.
3モリブデンディスクは,真空スイッチで接触端末として広く使用されています.
4モリブデンディスクは,加熱シンタリングトレイ,シンタリングボート,ベースプレート,サポートディスクの製造にも使用されます.
電子および真空アプリケーションにおけるチュージブル
5発射対象として使われています