IXFN38N100Q2 離散半導体モジュール 38 Amps 1000V 0.25 Rds - rftransistors

IXFN38N100Q2 離散半導体モジュール 38 Amps 1000V 0.25 Rds

モデル番号:IXFN38N100Q2
産地:アメリカ合衆国
最低注文量:1pcs
支払条件:T/T,ウェスタン・ユニオン
供給能力:1500pcs
配達時間:1日
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IXFN38N100Q2 離散半導体モジュール 38 Amps 1000V 0.25 Rds

IXYS
製品カテゴリー:離散半導体モジュール
RoHS について詳細
パワー MOSFET モジュール
そうだ
- 30V, +30V
シャーシマウント
SOT-227-4
- 55°C
+150C
IXFN38N100
トューブ
ブランド:IXYS
構成:シングル
秋の時間15 ns
高さ:9.6mm
Id - 連続流出電流:38A
長さ:38.23mm
チャンネル数:1 チャンネル
Pd - エネルギー分散:890W
製品タイプ:離散半導体モジュール
Rds ON - 排水源抵抗:250mOhms
昇る時間:28 ns
サブカテゴリ:離散半導体モジュール
商標名:ハイパーフェット
トランジスタの偏性:Nチャンネル
典型的な切断遅延時間:57 ns
典型的オンアップ遅延時間:25 ns
Vds - 排水源の断熱電圧:1kV
幅:25.42mm
単位重量:1.058219オンス



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China IXFN38N100Q2 離散半導体モジュール 38 Amps 1000V 0.25 Rds supplier

IXFN38N100Q2 離散半導体モジュール 38 Amps 1000V 0.25 Rds

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