DTD114ECT116
カテゴリー:離散半導体製品
トランジスタ
双極性 (BJT)
単一のバイアスバイアスバイアストランジスタ
電流 - コレクター (Ic) (最大):500 mA
製品の状況:アクティブ
トランジスタタイプ:前偏りのあるNPN -
頻度 - 移行:200 MHz
マウントタイプ:表面マウント
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部屋803 チェバリア・ハウス 45-51 チャタム・ロード南 ティム・シャ・ツウイ
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 36 時間
製品詳細
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製品詳細
バイアス式バイポラトランジスタ (BJT) NPN - バイアス式50V 500mA 200MHz 200mW 表面マウント SST3
DTD114ECT116
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