FDN337N
カテゴリー:離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
シングルFET,MOSFET
Vgs(th) (最大) @ Id:1V @ 250µA
パッケージ/ケース:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Rdsオン (最大) @ Id, Vgs:65mOhm @ 2.2A,4.5V
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808号室,A塔,ワ・シン・ストリート8-10号,クワイ・チュング,香港
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製品詳細
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製品詳細
Nチャンネル 30 V 2.2A (Ta) 500mW (Ta) 表面マウント SOT-23-3
FDN337N
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