IXZ318N50
カテゴリー:離散半導体製品
トランジスタ
FET,MOSFET
RF FET,MOSFET
製品の状況:時代遅れ
構成:Nチャンネル
定数電圧:500ボルト
パッケージ:トューブ
シリーズ:Z-MOSTM
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Shenzhen China
住所：
バオユンダ研究開発総合ビル 清津2丁目 シーシアン通り シェンゼン市バオアン地区
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内 36 時間
製品詳細
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RF モスフェット 100V 65MHz 23dB 880W DE375
IXZ318N50
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