Sicヒーター炭化ケイ素発熱体 U W I型炉用

原産地:中国

支払条件:信用状、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン、マネーグラム

供給能力:2,000 PC/月

パッケージの詳細:強力な木製の箱グローバル輸送のために

モデル番号:カスタマイズ可能

材料:sic

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Shaanxi KeGu New Material Technology Co., Ltd

確認済みサプライヤー

Chaoyang Shaanxi China

住所：中国陝西省西安市西咸新区秦漢新城渭城街道朝陽路5号、712039

サプライヤーの最後のログイン時間: 内 25 時間

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製品詳細会社概要

製品詳細

U W I型高温シックヒーターシリコンカービッド暖炉

記述

ハイライト:

暖炉式シークイーター

高温シシヒーター

シリコンカルビッドシシヒータ

製品説明

シリコンカルビッド SiC熱装置 (ヒーター)

1) 材料: グリーンシリコン粉末の質が良い
2) 製品: 非金属高温電気熱装置の一種.
3) 製造プロセス: 薄物として作られ,高温でシリシ化され,再結晶化されます.
4) 用途: 様々な高温実験室炉や他の電気暖房で広く使用されています
磁石,陶器,電力の金属工学,ガラス,金属工学など
5) 特徴: 高温,抗酸化,抗腐食,温度が早く上昇し,低温
熱膨張係数などです
6) ヒーターの仕様と抵抗範囲

元素の物理特性:

固有重量	曲がり強度	硬さ	張力強度	孔隙率	放射性
2.6~28g/cm3	>300kg	>9MOHの	>150kg/cm3	<30%	0.85

線形膨張係数,熱伝導性,特異熱は温度変化とともに変化し,関係データとしては以下の通りです.

温度 (c)	線形膨張係数 (10m/c)	熱伝導性 (kcal/Mhrc)	特定熱量 (cal/g'c)
o	/	/	0.148
300	3.8	/	/
400	/	/	0.255
600	4.3	14 - 18	/
800	/	/	0.294
900	4.5	/	/
1100	/	12から16	/
1200	4.8	/	0.325
1300	/	10〜14	/
1500	5.2	/	/

シリコンカービッドの加熱要素

シリコンカービード元素の使用建築,陶器の焼,浮遊ガラス生産,非鉄金属の溶融,シンタリング,溶融,1625°Cまでの動作温度を必要とする他の用途シリコンカービッドから構成された加熱要素は,通常,単足または複数の脚と金属化されたアルミ端を持つ棒,チューブ,または棒の形をしています.他の形は,ダンベル,ダブルスピラル,シングルスピラル標準的な暖房要素のサイズは,直径0.5〜3インチ,長さ1〜10フィートの範囲です.カスタム形状とサイズは,要求に応じて利用できます.シリコンカービッドの加熱エレメントは,一般的にほとんどのボリュームですぐに入手できます.アメリカン・エレメントは,ブロック,泡,蜂蜜,粉末 (マイクロおよびサブマイクロ粉末を含む),マイクロウイスカー,ナノ粒子,スポンジなど,シリコンカービッドの他の形態も提供しています.噴射対象物追加の技術,研究,安全性 (MSDS) の情報があります.

仕様

大気	オーブンの温度 ((°C)	表面負荷 (W/cm)	元素に作用する	ソイヴのやり方
アモニア	1290	3.8	SiC に作用し,SiO2 の保護フィルムを減少させる.	露点では活性
COr	1450	3.1	攻撃 SiC	クォーツチューブによる保護
18%CO	1500	4	行動なし	/
20%CO	1370	3.8	SiO2 保護フィルムに作用するC粒を吸収する	/
ハロゲン	704	3.8	SiC を攻撃し,SiOProtective フィルムを減少させる	クォーツチューブによる保護
炭水化物	1310	3.1	吸収するC粒子は熱汚染を引き起こす	十分な空気で満たす
水素	1290	3.1	SiCに作用してSiO2を減少させる保護フィルム	露点では活性
メタン	1370	3.1	吸収するC粒子は熱汚染を引き起こす	/
N	1370	3.1	SiCと作用し,SiN隔熱層を形成する	/
ほら	1310	3.8	攻撃 SiC	クォーツチューブによる保護
SO2	1310	3.8	攻撃 SiC	クォーツチューブによる保護
バキューム	1204	3.8	/	/
酸素	1310	3.8	SiCは酸化している	/
含有量含有量	1090年〜1370年	31-3 わかった6	SiCに作用してシリコンヒド酸を形成する	/