ICPエッチングウェーハホルダー 炭化ケイ素 Sicプレート LED業界

原産地:中国
支払条件:信用状、D/A、D/P、T/T、ウェスタンユニオン、マネーグラム
供給能力:2,000 PC/月
パッケージの詳細:強力な木製の箱 グローバル輸送のために
モデル番号:カスタマイズ可能
材料:シック
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確認済みサプライヤー
Chaoyang Shaanxi China
住所: 中国陝西省西安市西咸新区秦漢新城渭城街道朝陽路5号、712039
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製品詳細 会社概要
製品詳細

炭化ケイ素(SiC)トレイまたはプレート、LED業界のICPエッチングプロセス用ウェーハホルダーとして


説明:

LED業界のICPエッチングプロセス用ウェーハホルダーとして使用される炭化ケイ素(SiC)トレイまたはプレート。

炭化ケイ素(SiC)は、優れた熱伝導性、耐食性、低い熱膨張性を備えています。炭化ケイ素は、シールリングやベアリングに最適な材料です。炭化ケイ素トレイは、優れた耐食性、優れた耐摩耗性、高温下での優れた機械的強度を備えています。当社は、さまざまなサイズの炭化ケイ素トレイおよびその他のSiC製品を供給しています。

炭化ケイ素トレイの特性:

化合物組成SiC
分子量40.1
外観黒色
融点2,730℃(4,946°F)(分解)
密度3.0~3.2 g/cm3
電気抵抗率1~4 10x Ω-m
ポアソン比0.15~0.21
比熱670~1180 J/kg-K


炭化ケイ素トレイの仕様:

タイプ再結晶SiC焼結SiC反応焼結SiC
炭化ケイ素の純度99.5%98%>88%
最高使用温度(℃)165015501300
かさ密度(g/cm3)2.73.1>3
外観気孔率<15%2.50.1
曲げ強度(MPa)110400380
圧縮強度(MPa)>30022002100
熱膨張(10^-6/℃)4.6(1200℃)4.0(<500℃)4.4(<500℃)
熱伝導率(W/m.K)35~3611065
主な特性高温。高抵抗。
高純度
破壊靭性耐薬品性


特徴要件:

  1. 優れた熱伝導性
  2. プラズマショックへの耐性
  3. 良好な温度均一性


用途:
-炭化ケイ素は、半導体やコーティングなどの分野に適用できます。
-当社の炭化ケイ素トレイは、LED業界で広く使用されています。

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