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China Diodes Incorporated ディスクリート半導体デバイス 1N5263B-T supplier

Diodes Incorporated ディスクリート半導体デバイス 1N5263B-T

Diodes Incorporated ディスクリート半導体デバイス 1N5263B-T

モデル番号:1N5263B-T
最小注文数量:1個
支払い条件:T/T
納期:2~8仕事日
ブランド:組み込まれるダイオード
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製品詳細

ダイオード社 1N5263B-T


オリジナルダイオード社メーカー型式1N5263B-T
ベンダー主人ベンダー モデル11234142
タイプツェナーダイオード整理番号--
パッケージの数--包む--
製品説明ダイオード ツェナー 56V 500MW DO35
仕様数値
電圧 - ツェナー (公称) (Vz)261
許容範囲±5%
パワー - 最大500mW
インピーダンス (最大) (Zzt)150オーム
電流 - 逆漏れ @ Vr100nA@43V
電圧 - 順方向 (Vf) (最大) @ If1.1V @ 200mA
動作温度-65℃～200℃
取付タイプスルーホール
パッケージ・ケースDO-204AH、DO-35、アキシャル
サプライヤー デバイス パッケージDO-35
商品のタグ：
友の半導体 半導体集成回路 シリコンダイオード 1n4001
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Diodes Incorporated ディスクリート半導体デバイス 1N5263B-T

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