EMIフィルタICテキサス・インスツルメントのチタニウムLM9061QDRQ1を取付けるSMD
型式番号:LM9061QDRQ1
最低順序量:1部分
支払の言葉:T/T
受渡し時間:2~8仕事日
ブランド:テキサス・インスツルメント
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Guangzhou Guangdong China
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製品詳細
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製品詳細
製品の説明
EMIのノイズ・フィルタICテキサス・インスツルメント/チタニウムLM9061QDRQ1を取付けるSMD
| ECADモジュール | PCB記号、足跡及び3Dモデル |
| ECCN | EAR99 |
| 生産国 | マレーシア |
| 自由なハロゲン | 迎合的 |
| 推定EOLの日付 | 2028年 |
| 需要と供給の状態 | 限られた |
| 公開市場の擬似脅威 | 53のpct。 |
| 人気 | 媒体 |
| 製造業者のパッケージ | 8-SOIC |
| パッケージ | 8-SOIC （0.154"、3.90mmの幅） |
| 土台 | SMD |
| 実用温度範囲 | -40°C | 125°C （TJ） |
| 序論年紀 | 2014年11月24日 |
| 論理の電圧- VIL、VIH | 1.5V、3.5V |
| ゲートのタイプ | N-Channel MOSFET |
| 運転者の数 | 1 |
| チャネル タイプ | 単一 |
| 勝利源の部品番号 | 1200910-LM9061QDRQ1 |
| 包装 | 巻き枠- TR |
| 姓 | LM9061 |
| 製造業者 | テキサス・インスツルメント |
| 部門 | 集積回路（IC） |
| 作動の供給電圧 | 7ボルト| 26ボルト |
| 運転された構成 | 高側 |
| シリーズ | 、AEC-Q100自動車 |
LM9061-Q1のための特徴
- 自動車適用のために修飾される
- AEC-Q100は次の結果と修飾した:
- 装置HBM ESD分類のレベル2
- 装置CDM ESD分類のレベルC4B
- 抵抗60-Vの供給のトランジェント
- VCCの> 30ボルトの過電圧の切断
- 可逆圧縮の過電流保護掛け金
- 現在の感覚の抵抗器は要求されない
- 高い現在の負荷との電源切れを最小にする
- 保護掛け金のプログラム可能な遅れ
- 誘導負荷一時的な電圧を最小にする漸進的な分岐点
- CMOSの論理互換性がある不規則な操作量
LM9061-Q1のための記述
高側の運転者かスイッチとしてあらゆるサイズの外部力MOSFETにゲート ドライブを形成した提供するLM9061家族は充満ポンプ装置から成っている。これは非常に高い現在の適用のための多数の平行接続されたMOSFETsを含んでいる。CMOSの論理互換性がある不規則な入力は出力ゲート ドライブ電圧を制御する。国家のでは、利用できるVCC供給の上によくあるチャージ ポンプの電圧はMOSFETのゲートに直接適用される。作り付け15-V ZenerはMOSFETの源の電圧に最高のゲートを締め金で止める。110-µA現在の流しを離れて命じられたとき漸進的な分岐点の特徴のためのMOSFETのゲート キャパシタンスを誘導負荷一時的な電圧の持続期間を最小にし、更に力MOSFETを保護するために排出する。
力MOSFETの可逆圧縮の保護はLM9061の主要特点である。力装置を渡る電圧低下（VDS）は外的にプログラム可能な境界の電圧に対して絶えず監視され、比較される。有効エネルギーの損失を引き起こす負荷とのシリーズの小さい現在感知の抵抗器は保護回路部品に要求されない。余分な負荷流れによるVDSvoltageが境界の電圧を超過すれば、出力はより漸進的な方法でプログラム可能な遅れの時間間隔の後で（10-µA出力電流の流しを通して）掛け金を降ろされる。
EMIフィルタICテキサス・インスツルメントのチタニウムLM9061QDRQ1を取付けるSMD
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