テキサス・インスツルメントのアンプICのチタニウムTPS25940ARVCTを取付けるSMD
型式番号:TPS25940ARVCT
最低順序量:1部分
支払の言葉:T/T
受渡し時間:2~8仕事日
ブランド:テキサス・インスツルメント
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Guangzhou Guangdong China
住所：
Room 2201-03, Room 2206, Changfeng International 1, No. 96, Lixin No. 12 Road, Zengcheng District, Guangzhou City, Guangdong province
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内 47 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
製品の説明
アンプICはテキサス・インスツルメント/TI TPS25940ARVCTを欠く
| ECADモジュール | PCB記号、足跡及び3Dモデル |
| 自由なハロゲン | 迎合的 |
| 推定EOLの日付 | 2031年 |
| 代わりとなる部品 （相互参照） | TPS25940ARVCR; |
| ECCN | EAR99 |
| 需要と供給の状態 | バランス |
| 公開市場の擬似脅威 | 53のpct。 |
| 人気 | 媒体 |
| 特徴ピン | DEVSLPのdVdT、EN/UVLO、/FLT、ILIM、IMON、OVP、PGOOD、PGTH |
| 製造業者のパッケージ | 20-WQFN （4x3） |
| 勝利源の部品番号 | 797903-TPS25940ARVCT |
| 土台 | SMD |
| 作動の供給の流れ | 202μA |
| 実用温度範囲 | -40°C | 85°C |
| 姓 | TPS25940A |
| 生産国 | 中国、マレーシア、フィリピン |
| パッケージ | 20-WFQFNはパッドを露出した |
| 特徴 | 自動再試行、熱限界 |
| 適用 | 概要 |
| 内部スイッチ | はい |
| チャネルの数 | 1 |
| 現在-出力（最高） | 5.3A |
| 作動の供給電圧 | 2.7 V | 18ボルト |
| 製造業者 | テキサス・インスツルメント |
| 部門 | 集積回路（IC） |
| プログラム可能な特徴 | 現在の限界、OVPのスルー・レート、UVLO |
| タイプ | ホット スワップ コントローラー |
| 包装 | 巻き枠のパッケージ |
TPS25940のための特徴
- 2.7 V – 18ボルトの作動の電圧、20ボルト（最高）
- 42 mΩ R（典型的）
- 5.3への0.6 A調節可能な現在の限界（±8%）
- IMONの現在の表示器の出力（±8%）
- 作動する200 µA私Q （典型的な）
- 95のµAのDevSleepモードIQ （典型的な）
- 15 µAは私を不具にしたQ （典型的な）
- ±2%の過電圧、不足電圧の境界
- 逆の現在の妨害
- 1 µsは電圧切断を逆転させる
- プログラム可能なdVo/dt制御
- よい力および欠陥の出力
- – 125°C接合部温度の範囲への40°C
- 確認されるUL 2367
- ファイル第169910
- RILIMの≥ 20のkΩ （最高4.81 A）
- UL60950 -一点失敗テストの間の金庫
- ILIMの検出開けなさい/不足分
TPS25940のための記述
TPS25940 eFuseの電源スイッチは完全な続きのSATA™装置睡眠の標準の承諾を支える低い電力のDevSleep™モードを含む保護機能が付いている密集した、機能が豊富な力管理装置、である。広い動作範囲は多くの普及したDCバス電圧の制御を可能にする。統合された続けてFETsは壊れる供給バスに戻って流出してはならない負荷側面の強奪エネルギーをシステムに装置をうってつけにする二方向の現在の制御に与える。
負荷、源および装置保護は過電流、dVを含む多くのプログラム可能な特徴を与えられるo/dtの傾斜路および過電圧の不足電圧の境界。システムの状態の監視および下流の負荷制御のために、装置はPGOOD、FLTおよび精密な現在のモニターの出力を提供する。精密でプログラム可能な不足電圧、過電圧の境界および低いの私QDevSleepモードはSSD力管理設計を簡単にする。
TPS25940モニターV（）およびV（出口）本当の逆の現在の妨害を提供するため時V（） <>（出口） - 10 mV）。この機能はバックアップ電圧がバス電圧より大きいシステムの後押しされた電圧エネルギー蓄積の要素への速い転換を支える。
テキサス・インスツルメントのアンプICのチタニウムTPS25940ARVCTを取付けるSMD
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