70T653MS12BCGI記憶IC破片の元の高性能の処理
最低順序量:1部分
支払の言葉:L/C、T/T
受渡し時間:5~8の仕事日
企業との接触
Add to Cart
正会員
Guangzhou Guangdong China
住所：
Room 2201-03, Room 2206, Changfeng International 1, No. 96, Lixin No. 12 Road, Zengcheng District, Guangzhou City, Guangdong province
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 47 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
70T653MS12BCGI記憶IC破片の元の高性能の処理
| 製造業者:Integrated Device Technology、Inc。 | RoHsの状態:迎合的な無鉛/RoHS |
| タイプの取付け:表面の台紙 | 特徴:IC SRAM 18M平行256CABGA |
| パッケージ/場合:256-LBGA | 実用温度:- 40°C | 85°C （TA） |
| 記憶フォーマット:SRAM | 記憶容量:18Mb （512K X 36） |
| 技術:デュアル ポートSRAM –非同期 | アクセス時間:12ns |
| 手に入る数量:標準的な4200 PC | 電圧–供給:2.4V | 2.6V |
70T653MS12BCGI記憶IC破片の元の高性能の処理
お問い合わせカート
0