SI3585CDV-T1-GE3 FPGAの集積回路MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOPの集積回路板
型式番号:SI3585CDV-T1-GE3
支払の言葉:D/A、T/T、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間:1-2の仕事日
包装の細部:テープ及び巻き枠（TR）
流出させなさいに源の電圧（Vdss）:20V
パッケージ/場合:SOT-23-6 薄型、TSOT-23-6
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| 無鉛状態/RoHSの状態: | 迎合的な無鉛/RoHS |
|---|---|
| 詳細な説明: | Mosfetの配列NおよびP-Channel 20V 3.9A、2.1A 1.4Wの1.3W表面の台紙6-TSOP |
| FETの特徴: | 論理のレベルのゲート |
| パワー最高: | 1.4W、1.3W |
| 湿気感受性のレベル（MSL）: | 1 （無制限） |
| 製造業者の標準的な調達期間: | 32週 |
| FETのタイプ: | NおよびP-Channel |
| シリーズ: | TrenchFET® |
| 現在-連続的な下水管（ID） @ 25°C: | 3.9A、2.1A |
| 他の名前: | SI3585CDV-T1-GE3-ND SI3585CDV-T1-GE3TR |
| 入れられたキャパシタンス（（最高） Ciss） @ Vds: | 150pF @ 10V |
| （最高） @ ID、VgsのRds: | 58 mOhm @ 2.5A、4.5V |
| ゲート充満（（最高） Qg） @ Vgs: | 4.8nC @ 10V |
| 実用温度: | -55°C | 150°C （TJ） |
熱い提供のハイライト
| プロダクト モデル | ブランド |
| TLV9152QDGKRQ1 | チタニウム |
| ISO7831DWR | チタニウム |
| TPS562207SDRLR | チタニウム |
| TPS7B4253QPWPRQ1 | チタニウム |
| TPS25940AQRVCRQ1 | チタニウム |
| ISO7331FCQDWRQ1 | チタニウム |
| TPS22992RXPR | チタニウム |
| TPS62913RPUR | チタニウム |
| MPX2200AP | |
| CCS811B-JOPD | AMS |
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SI3585CDV-T1-GE3 FPGAの集積回路MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOPの集積回路板
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