2N7002 Mosfet NチャネルSMD 60V 115MAの集積回路
型式番号:2N7002
最低順序量:discussible
支払の言葉:L/C、D/A、D/P、T/T、ウェスタン・ユニオン、MoneyGram
供給の能力:1ヶ月あたりの10000 PC
受渡し時間:1-7Work幾日
包装の細部:元
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確認済みサプライヤー
Shenzhen Guangdong China
住所：
B615のNiulanqianの建物、Minzhiの道、竜華区、シンセン都市、広東省、中国
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 12 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
集積回路2N7002小さい信号のField-EffectのトランジスターMOSFET N-CH 60V 115MA
プロダクト 記述:
2N7002トランジスター、MOSFETのN-Channel、115 mA、60ボルト、1.2オーム、10ボルト、2.1ボルト
2N7002は高い細胞密度およびDMOSの技術を使用して作り出されるN-channelの強化モード電界効果トランジスタである。それはオン州の抵抗を間、提供の険しく、信頼できる速い転換の性能最小にする。それは400mA DCまで要求するほとんどの適用で使用し、2Aまで脈打った流れを提供できる。、小さいサーボ運動制御および力MOSFETのゲートの運転者のような低電圧、low-current適用のために適した。
極端に低いRDSのための高密度細胞の設計（）。
高い飽和電流の機能。
電圧管理された小さい信号スイッチ。
険しく、信頼できる
これらの、高い細胞密度専有作り出される、フェアチャイルドを使用してN-Channelの強化モード分野効果のtransistorsare DMOSの技術。これらのプロダクトはtominimizeオン州の抵抗の間を提供する険しく、信頼できる、速い転換の性能を設計されていた。それらは2Aまで400mA DCまで要求するmostapplicationsで使用することができ、deliverpulsed流れをできる。これらのプロダクトはsmallservoの運動制御のような低電圧、低い現在の適用、力MOSFETのゲートの運転者およびotherswitching適用のためにparticularlysuited。
科学技術変数:
| 評価される電圧（DC） | 60.0 V |
| 評価される流れ | 115 mA |
| 評価される力 | 200 MW |
| ピン ナンバー | 3 |
| 下水管源の抵抗 | 1.2 Ω |
| 北極 | N-Channel |
| 放蕩力 | 200 MW |
| 境界の電圧 | 2.1 V |
| 下水管源の電圧（Vds） | 60ボルト |
| ゲート源の絶縁破壊電圧 | ±20.0 V |
2N7002 Mosfet NチャネルSMD 60V 115MAの集積回路
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