TC58NYG2S0HBAI4 メモリIC チップ 4Gbit NAND フラッシュメモリIC TFBGA63

型番:TC58NYG2S0HBAI4
産地:CN
最低注文量:10
支払条件:T/T,L/C,ウェスタンユニオン
配達時間:5~8 営業日
パッケージの詳細:TFBGA-63
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TC58NYG2S0HBAI4 メモリICチップ 4Gbit NANDフラッシュメモリIC TFBGA63​


TC58NYG2S0HBAI4 の製品概要

TC58NYG2S0HBAI4 は、(4096 + 256) バイト  64 ページ  2048 ブロックとして構成された、シングル1.8V 4 Gbit (4,563,402,752 ビット) NAND 電気的消去/プログラム可能読み出し専用メモリ (NAND E2PROM) です。

TC58NYG2S0HBAI4 は、4352 バイトの静的レジスタを 2 つ備えており、プログラムデータと読み出しデータを 4352 バイト単位でレジスタとメモリセルアレイの間で転送できます。消去操作は、単一ブロック単位 (256 Kbytes + 16 Kbytes: 4352 バイト x 64 ページ) で実装されます。


TC58NYG2S0HBAI4 の仕様

部品番号:TC58NYG2S0HBAI4
製品カテゴリ:NANDフラッシュ
SMD/SMT
TFBGA-63
4 Gbit
パラレル
512 M x 8
同期
8 ビット
1.7 V
1.95 V
30 mA
- 40 ℃
+ 85 ℃
アクティブ読み出し電流 - 最大:30 mA


TC58NYG2S0HBAI4 の特徴

構成 x8
メモリセルアレイ: 4352 x 128K x 8
レジスタ: 4352 x 8
ページサイズ: 4352 バイト
ブロックサイズ: (256K x 16K) バイト
電源 - VCC: 1.7V ~ 1.95V
512 バイトごとに 8 ビット ECC が必要です。


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FAQ
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Q: リードタイムはどうですか?
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China TC58NYG2S0HBAI4 メモリIC チップ 4Gbit NAND フラッシュメモリIC TFBGA63 supplier

TC58NYG2S0HBAI4 メモリIC チップ 4Gbit NAND フラッシュメモリIC TFBGA63

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