集積回路の破片IMBG65R163M1HXTMA1力MOSFETのトランジスターTO-263-8

型式番号:IMBG65R163M1HXTMA1
原産地:CN
最低順序量:10
支払の言葉:T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間:5-8の仕事日
包装の細部:TO-263-8
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所: 1239新しいアジアGuoliの建物のZhenzhongの道。、Futian地区シンセン中国
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製品詳細 会社概要
製品詳細

集積回路の破片IMBG65R163M1HXTMA1力MOSFETのトランジスターTO-263-8

 

IMBG65R163M1HXTMA1の製品の説明

IMBG65R163M1HXTMA1 SMDのコンパクトのパッケージSiC MOSFETのCoolSiC™ MOSFETの技術は炭化ケイ素の強力な物理的性質を最大にすることによって装置性能、強さおよび使い易さの独特な利点を高める。

 

IMBG65R163M1HXTMA1の指定

部品番号:IMBG65R163M1HXTMA1
シリーズ
CoolSIC™ M1
FETのタイプ
N-Channel
技術
SiCFET (炭化ケイ素)
流出させなさいに源の電圧(Vdss)
650ボルト
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C
17A (Tc)


IMBG65R163M1HXTMA1の特徴

  • 高性能、高い信頼性および使い易さ
  • 高いシステム効率および高い発電密度
  • 減らされたシステム費用および複雑さ
  • 低価格、より簡単なおよびより小規模なシステムを作成しなさい

 

在庫の他の電子部品

部品番号パッケージ
MAX72024CBGA924
MGA-13116QFN
ADS42JB46IRGCRVQFN-64
MSP430F5310IZQEBGA80
MSP430F5328IZQEBGA80
STM32L485JCY6TRBGA

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

 
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集積回路の破片IMBG65R163M1HXTMA1力MOSFETのトランジスターTO-263-8

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