集積回路の破片BSZ036NE2LSATMA1のN-Channel MOSFETのトランジスター8-PowerTDFN

型式番号:BSZ036NE2LSATMA1
原産地:CN
最低順序量:10
支払の言葉:T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間:5-8の仕事日
包装の細部:8-PowerTDFN
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所: 1239新しいアジアGuoliの建物のZhenzhongの道。、Futian地区シンセン中国
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製品詳細 会社概要
製品詳細

集積回路の破片BSZ036NE2LSATMA1のN-Channel MOSFETのトランジスター8-PowerTDFN

 

BSZ036NE2LSATMA1の製品の説明

BSZ036NE2LSATMA1はN-channel力MOSFETのトランジスター、極端に低いゲートであり非常に低いオン州の抵抗および小型パッケージのサイズと結合される出力充満はOptiMOS™ 25Vに要求サーバー、データ通信およびコミュニケーション電圧安定器の解決のための最もよい選択をする。

 

BSZ036NE2LSATMA1の指定

部品番号:BSZ036NE2LSATMA1
4.1のmOhms
- 20ボルト、+ 20ボルト
2ボルト
16 NC
- 55 C


BSZ036NE2LSATMA1の特徴

  • 多相転換の段階の数の減少によって総合システムの費用を救いなさい
  • パワー消費量を減らし、すべてのロード状態の下で効率を改善しなさい
  • CanPAK™、S3O8、等のような小型パッケージまたはパッケージ システムの解決とのスペース セービング。
  • かなり外的な緩衝ネットワークのための必要性を除去し、プロダクトをに設計することもっと簡単にするシステムEMIを減らしなさい

 

在庫の他の電子部品

部品番号パッケージ
STPA001ZIP-27
BCM43570KFFBGBGA
RE46C104S14TFSOP14
LNK6663EESIP6
TLV316IDBVRSOT23-5
MAX4246AKASOT23-8

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

 
China 集積回路の破片BSZ036NE2LSATMA1のN-Channel MOSFETのトランジスター8-PowerTDFN supplier

集積回路の破片BSZ036NE2LSATMA1のN-Channel MOSFETのトランジスター8-PowerTDFN

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