穴を通した炭化ケイ素MOSFETのトランジスターIMW120R140M1H N-Channel 1200V 19A 94W

型式番号:IMW120R140M1H
原産地:CN
最低順序量:10
支払の言葉:T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間:5-8の仕事日
包装の細部:TO-247-3
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所: 1239新しいアジアGuoliの建物のZhenzhongの道。、Futian地区シンセン中国
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製品詳細 会社概要
製品詳細

穴を通した炭化ケイ素MOSFETのトランジスターIMW120R140M1H N-Channel 1200V 19A 94W

 

IMW120R140M1Hの製品の説明

IMW120R140M1HはCoolSiC™ 1200ボルト、信頼性と性能を結合するために最大限に活用される最新式の堀の半導体プロセスのTO247-3パッケージの造りの140のmΩ SiC MOSFETである。

 

IMW120R140M1H指定

部品番号

IMW120R140M1H

プロダクト状態

活動的

FETのタイプ

N-Channel

技術

 SiCFET (炭化ケイ素)

流出させなさいに源の電圧(Vdss)

1200ボルト

現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C

19A (Tc)


IMW120R140M1H特徴

  • 高性能

  • 減らされた冷却の努力

  • より高い頻度操作

  • 増加された出力密度

  • 減らされたシステムの複雑さ

 

他の供給の製品タイプ

部品番号

パッケージ

MSCSM120TAM16CTPAG

モジュール

MSCSM120AM11CT3AG

モジュール

MSCSM120AM50CT1AG

モジュール

MSCSM70AM025CD3AG

モジュール

MSCSM70AM025CT6LIAG

モジュール

MSCSM70AM10CT3AG

モジュール

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

China 穴を通した炭化ケイ素MOSFETのトランジスターIMW120R140M1H N-Channel 1200V 19A 94W supplier

穴を通した炭化ケイ素MOSFETのトランジスターIMW120R140M1H N-Channel 1200V 19A 94W

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