SiCの堀MOSFET IMBF170R1K0M1のN-ChannelのMOSFETsのトランジスターTO-263-8 1700V

型式番号:IMBF170R1K0M1
原産地:CN
最低順序量:10
支払の言葉:T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間:5-8の仕事日
包装の細部:TO-263-8
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製品詳細 会社概要
製品詳細

SiCの堀MOSFET IMBF170R1K0M1のN-ChannelのMOSFETsのトランジスターTO-263-8 1700V

 

IMBF170R1K0M1の製品の説明

IMBF170R1K0M1はCoolSiC™ 1700V SiCの堀MOSFETの炭化ケイ素MOSFETのトランジスターであり、より高い頻度を可能にする。

 

IMBF170R1K0M1の指定

部品番号IMBF170R1K0M1
(最高) @ ID、VgsのRds
1000mOhm @ 1A、15V
Vgs ((最高) Th) @ ID
5.7V @ 1.1mA
ゲート充満((最高) Qg) @ Vgs
5 NC @ 12ボルト
Vgs (最高)
+20V、-10V
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds
275 pF @ 1000ボルト


IMBF170R1K0M1の特徴

  • 革命的な半導体材料-炭化ケイ素
  • フライバックの地勢学のために最大限に活用される
  • ほとんどのフライバックのコントローラーと互換性がある12V/0Vゲート源の電圧
  • まさに低い転換の損失
  • 基準のゲートの境界の電圧、VGS (Th) = 4.5V
  • EMIの最適化のための十分に制御可能なdV/dt

 

他の供給の製品タイプ

部品番号パッケージ
XA6SLX25-3CSG324I324-CSPBGA
XA6SLX25-3FTG256IFBGA-256
XA6SLX25-2FTG256QFBGA-256
LAN8814/ZMXTQFP-128
LAN8814-V/ZMXTQFP-128
KSZ9131RNXIVQFN48

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

China SiCの堀MOSFET IMBF170R1K0M1のN-ChannelのMOSFETsのトランジスターTO-263-8 1700V supplier

SiCの堀MOSFET IMBF170R1K0M1のN-ChannelのMOSFETsのトランジスターTO-263-8 1700V

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