SICの集積回路の破片SCT1000N170AG HiP247の炭化ケイ素力MOSFET

型式番号:SCT1000N170AG
原産地:CN
最低順序量:10
支払の言葉:T/T、L/C、ウェスタン・ユニオン
受渡し時間:5-8の仕事日
包装の細部:HiP247
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確認済みサプライヤー
Shenzhen China
住所: 1239新しいアジアGuoliの建物のZhenzhongの道。、Futian地区シンセン中国
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製品詳細 会社概要
製品詳細

SICの集積回路の破片SCT1000N170AG HiP247の炭化ケイ素力MOSFET

 

SCT1000N170AGの製品の説明

広いbandgap材料の進められた、革新的な特性を開発するSCT1000N170AGはこの炭化ケイ素力MOSFET作り出される。

 

SCT1000N170AGの指定

部品番号:SCT1000N170AG下水管源の電圧:1700ボルト
ゲート源の電圧:-10から22ボルト現在を(連続的)でTC = 25 °C流出させなさい:7A
現在を(連続的)でTC = 100 °C流出させなさい:5A現在を流出させなさい(脈打つ):20A

 

SICの集積回路の破片の特徴

  • AEC-Q101 rev. Cは修飾した
  • 非常に速く、強く本質的なボディ ダイオード
  • 低いキャパシタンス
  • 非常に高い作動の接合部温度の機能(TJ = 200 °C)

 

SCT1000N170AGの適用

  • 主要なインバーター(電気牽引)
  • EV/HEVのためのDC/DCのコンバーター
  • の上充電器(OBC)

 

在庫の他の電子部品

部品番号パッケージ
IRAM336ZIP19
IRF1010TO-220
IRF1018TO-220
IRF1310TO-220
IRF1324TO-220
IRF1404TO-220

 

FAQ

Q:あなたのプロダクトは元であるか。
:はい、すべてのプロダクトは元、新しいオリジナルの輸入である私達の目的である。
Q:どの証明書があるか。
:私達はERAIのISOの9001:2015によって証明される会社そしてメンバーである。
Q:少しの順序かサンプルを支えることができるか。サンプルは自由であるか。
:はい、私達はサンプル順序および小さい順序を支える。サンプル費用はあなたの順序かプロジェクトに従って異なっている。
Q:私の順序を出荷する方法か。それは安全であるか。
:私達はまた明白、DHLのような、Federal Express、UPS、TNT、EMS.Weを出荷するのにあなたの提案された運送業者を使用してもいい使用する。プロダクトは詰まるよいよにあり、安全および私達を保障するためにあなたの順序へのプロダクト損傷に責任があってであって下さい。
Q:調達期間についての何か。
:私達は5仕事日以内の標準的な部分を出荷してもいい。在庫なしで、私達はあなたの順序の量にあなたのための調達期間を基づいていた確認する。

China SICの集積回路の破片SCT1000N170AG HiP247の炭化ケイ素力MOSFET supplier

SICの集積回路の破片SCT1000N170AG HiP247の炭化ケイ素力MOSFET

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