E-O クリスタル LiNbO3 周波数倍増 1064nm 位相変調器 Z カット X 面電極

モデル番号:LiNbO3
原産地:中国、武漢
最小注文数量:1個
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供給能力:50000個/月
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Wuhan China
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製品詳細

EO結晶 LiNbO3

概要:

LiNbO3 結晶1μmを超える波長の周波数倍増、1064 nmで励起される光パラメトリック発振器(OPO)、および準位相整合(QPM)デバイスとして広く使用されています。電気光学係数と音響光学係数が大きいため、LiNbO3 結晶は、ポッケルセル、Nd:YAG、Nd:YLF、Ti:Sapphire レーザーの Q スイッチ、および位相変調器、導波路基板、表面に最も一般的に使用される材料です。音響波(SAW)ウェーハなど

光は z 軸方向に伝搬し、電極は x 面に適用されます


の一般仕様LiNbO3 結晶:

寸法公差±0.1mm
角度公差±0.5度
表面品質20/10 スクラッチアンドディグ
クリアアパーチャ>90%
表面の平坦度<λ/8@633nm
波面歪み<λ/4@633nm
並列処理<20秒角
垂直性<5分角
ARコーティングR<0.25%@中心波長
ダメージ閾値>5J/cm2、20ns、20Hz、1064nm

LiNbO3 結晶の標準製品:

PN。素材

寸法

(んん)

長さ

(んん)

切る端面側面
LNO3315

LiNbO3

3X315Zカット

AR/AR@1064nm

X面Au電極

LNO4415

LiNbO3

4X415Zカット

AR/AR@1064nm

X面Au電極

LNO6625

LiNbO3

6X625Zカット

AR/AR@1064nm

X面Au電極

LNO9925

LiNbO3

9X925Zカット

AR/AR@1064nm

X面Au電極


物理的および光学的特性 LiNbO3 結晶:

結晶構造三角、空間群 R3c
セル パラメータa = 0.515A、c = 13.863A、Z = 6A
融点1255±5o
キュリーポイント1140±5o
モース硬度5
密度4.64g/cm3
吸収係数~ 0.1%/cm@1064nm
溶解性水に不溶
比誘電率eT11/e0:85
eT33/e0:29.5
熱膨張係数(@25oハ)||a、2.0 x 10-6/K
||c、2.2 x 10-6/K
熱伝導率38 W/m/K @ 25o
透明度範囲420-5200nm
光学均一性〜5×10-5/cm
セルマイヤー方程式( λ in um)no2= 4.9048+0.11768/(λ2- 0.04750) - 0.027169λ2
ne2= 4.5820+0.099169/(λ2- 0.04443) - 0.021950λ2
NLO係数d33= 34.4 午後/V
d31= 日15= 5.95 午後/V
d22= 3.07 午後/V
電気光学係数gT33= 32 pm/V、gS33=午後31時/V
gT31= 午後 10 時/V、gS31= 8.6 午後/V
gT22= 6.8 pm/V、gS22= 3.4 午後/V
半波電圧、DC電界 ||z、光 ⊥z 3.03 KV
電界 ||x または y、光 ||4.02KV
効率NLO係数d効果=5.7pm/V または~14.6xd36(KDP) 周波数倍増 1300nm;
d効果=5.3pm/V または~13.6xd36(KDP) 1300nm でポンピングされた OPO の場合。
d効果=17.6pm/V または~45xd36(KDP) 準位相整合構造の場合。
ダメージ閾値200MW/cm2


China E-O クリスタル LiNbO3 周波数倍増 1064nm 位相変調器 Z カット X 面電極 supplier

E-O クリスタル LiNbO3 周波数倍増 1064nm 位相変調器 Z カット X 面電極

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