ダイオード励起 Nd:YAG レーザー用 9ns Q スイッチ レーザー結晶

モデル番号:Cr:YAG
原産地:中国、武漢
最小注文数量:1個
支払い条件:T/T、ウェスタンユニオン、ペイパル
供給能力:50000個/月
納期:応相談
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Wuhan China
住所: 4 階、建物 9、Optics Valley New Dynamic、5th Hi-Tech road、East lake Hi-Tech Zone、武漢、中国
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製品詳細

パッシブ Q スイッチ クリスタル Cr:YAG

概要:

Cr4+:Y3Al5O12 結晶 (Cr4+:YAG)は、0.8 ~ 1.2um の波長でのパッシブ Q スイッチング ダイオード ポンプまたはランプ Nd または Yb ドープ レーザー用の最も有望なパッシブ Q スイッチング材料の 1 つです。Cr4+:YAG の化学的安定性、耐久性、UV 耐性、優れた熱伝導率、高い損傷閾値 (> 500 MW/cm )、および簡単な操作により、Cr4+:YAG は LiF や有機色素などの従来のスイッチング材料の一部に取って代わります。Cr:YAG の予備実験では、パッシブ Q スイッチ レーザーのパルス幅は、ダイオード励起 Nd:YAG レーザーでは 9ns と短く、ダイオード励起 Nd:YVO4 レーザーでは 10kHz と高い繰り返し率になることが示されました。


Cr4+ の一般仕様:YAG:

素材Cr4+:YAG
オリエンテーション<111> または <110> または <100>
初期吸収係数0.5-7/cm@1064nm
直径公差直径:+0/-0.02mm、W×H:+/-0.1mm
長さの公差±0.5mm
初期透過率5%-95%@1064nm
寸法

直径:3~12mm、高さ×幅:2×2~30​​×30mm

(お客様のご要望に応じて)

バレル仕上げ研磨仕上げ 400#Grit
クリアアパーチャ>中心地の90%以上
並列処理<10秒角
垂直性<5分角
平坦度<λ/8@632.8nm
スクラッチ/ディグ10/5@MIL-0-13830A
反射防止コーティングR<0.15%@1064nm/面あたり
ダメージ閾値>750MW/cm2@1064nm 10ns 10HZ

Cr4+の物理的および光学的性質:YAG:

結晶構造キュービック
ドーパント0.5~3% クロム
波長950nm~1100nm
融点1970℃
キュリーポイント936℃
密度4.56g/cm3
モース硬度8.5
回復時間8.5us
熱伝導率12.13W/m/K
損失係数0.003cm-1
屈折率1.82@1064nm
基底状態吸収断面積4.3×10-18/cm2
発光状態吸収断面積8.2×10-19/cm2
蛍光寿命3.4us
光損傷閾値>500MW/cm2


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