Qスイッチング用の広い透明度BBO非線形光学結晶200nm

モデル番号:BBO
原産地:中国、武漢
最小注文数量:1個
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供給能力:50000個/月
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Wuhan China
住所: 4 階、建物 9、Optics Valley New Dynamic、5th Hi-Tech road、East lake Hi-Tech Zone、武漢、中国
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製品詳細

非線形結晶 BBO

概要:

BBO (ベータ-BaB2O4)多くのユニークな機能を組み合わせた非線形光学結晶です。これらの機能には、広い透明度と位相整合範囲、大きな非線形係数、高い損傷閾値、および優れた光学的均一性が含まれます。したがって、BBO は、可視および近赤外レーザー光の周波数倍増、近赤外から紫外の波長の超高速パルスによって励起される OPO/OPG/OPA、および可視から近赤外への和周波混合 (SFM) のための優れた非線形結晶です。深紫外線。BBO は、SHG および SFM で 500 nm 未満で使用できる数少ない実用的な結晶の 1 つです。

BBO 結晶は、200nm から 2500nm までの波長範囲での高出力アプリケーション向けの優れた電気光学結晶でもあります。平均出力が 50W を超える CW ダイオード励起 Nd:YAG レーザーの Q スイッチングに使用できます。


の一般仕様BBO結晶:

寸法公差(W±0.1mm)×(H±0.1mm)×(L±0.2mm)
角度公差Δθ<0.5°、ΔΦ<0.5°
表面品質20/10 スクラッチアンドディグ
クリアアパーチャ>90% 中枢
表面の平坦度<λ/8@633nm
波面歪み<λ/4@633nm
並列処理<20秒角
垂直性<5分角
面取り<0.1mmx45°

BBO結晶の標準製品:

PN。

寸法

(んん)

長さ

(んん)

θ(度)

φ(度)

コーティング応用
BBO447/22.8/0/SHG1064-4X4722.80AR/AR@1064&532nmSHG@1064、タイプⅠ
BBO447/47.6/0/4HG1064-4X4747.60AR/AR@532&266nm4HG@1064、タイプⅠ
BBO4410/22.8/0/SHG1064-4X41022.80AR/AR@1064&532nmSHG@1064、タイプⅠ
BBO4410/47.6/0/4HG1064-4X41047.60AR/AR@532&266nm4HG@1064、タイプⅠ
BBO551/29.2/0/SHG800-5X5129.20AR/AR@800&400nmSHG@800、タイプⅠ
BBO550305/29.2/0/SHG800-5X50.3~0.529.20AR/AR@800&400nmSHG@800、タイプⅠ

物理的および光学的特性 BBO結晶:

結晶構造三方、空間群 R3c
セル パラメータa=b=12.532&Aring;、c=12.717&Aring;、Z=6
融点1095±5℃
転移温度925±5℃
光学均一性10-6/cm
モース硬度4.5
密度3.85g/cm3
線形吸収係数<0.1%/cm (1064 nm)
吸湿性低い
抵抗率>1011オーム/cm
比誘電率eT11/e0: 6.7、eT33/e0: 8.1
正接、<0.001
熱膨張係数(25~900℃の範囲)⊥c、4×10-6/K。||c、36×10-6/K
熱伝導率⊥c、1.2 W/m/K。||c、1.6 W/m/K
透明度範囲189-3500nm
熱光学係数dno/dT=-9.3x10-6/0C;dne/dT=-16.6x10-6/0C
NLO 係数d11 =5.8×d36(KDP)
d31=0.05×d11、d22<0.05×d11
電気光学係数g11=2.7pm/V, g22, g31<0.1 g11
半波電圧48KV (1064nm)
位相整合可能な SHG 範囲189-1750nm
ダメージ閾値@1.064um5 GW/cm2 (10 ns);10GW/cm2 (1.3ns)
@0.532um1 GW/cm2 (10 ns);7GW/cm2(250ps)
@0.266um120MW/cm2 (8ns)
セルマイヤー方程式(λ in um)no2(λ) = 2.7359+0.01878/(λ2-0.01822)-0.01354λ2
ne2(λ) = 2.3753+0.01224/(λ2-0.01667)-0.01516λ2


異なるアプリケーションの標準パラメータ:

Nd:YAG レーザーの高調波発生
1064nm SHG-> 532nm4x4x7mmタイプ I、シータ = 22.8 度、ファイ = 0 度
1064nm THG-> 355nm4x4x7mmタイプ I、シータ = 31.3 度、ファイ = 0 度
1064nm THG-> 355nm4x4x7mmタイプ II、シータ = 38.6 度、ファイ = 30 度
1064nm 4HG→266nm4x4x7mmタイプI、シータ=47.6度、ファイ=0度
1064nm 5HG→213nm4x4x7mmタイプI、シータ=51.1度、ファイ=0度
Nd:YAG レーザーの高調波によって励起される OPO および OPA
532nm ポンプ -> 680-2600nm4x4x12mmタイプ I、シータ = 21 度、ファイ = 0 度
355nm ポンプ -> 410-2600nm6x4x12mmタイプ I、シータ = 30 度、ファイ = 0 度
355nm ポンプ -> 410-2600nm7x4x15mmタイプII、シータ=37度、ファイ=30度
266nm ポンプ -> 295-2600nm6x4x12mmタイプ I、シータ = 39 度、ファイ = 0 度
色素レーザーの周波数倍増
670-530nm SHG-> 355-260nm8x4x7mmタイプI、シータ=40度、ファイ=0度
600-440nm SHG-> 300-220nm8x4x7mmタイプI、シータ=55度、ファイ=0度
444-410nm SHG-> 222-205nm8x4x7mmタイプ I、シータ = 80 度、ファイ = 0 度
Ti:Sapphire レーザーの高調波世代
700-1000nm SHG-> 350-500nm7x4x7mmタイプ I、シータ = 28 度、ファイ = 0 度
700-1000nm THG->240-330nm8x4x7mmタイプ I、シータ = 42 度、ファイ = 0 度
700-1000nm FHG-> 210-240nm8x4x7mmタイプ I、シータ = 66 度、ファイ = 0 度
アレキサンドライト レーザーの周波数の 2 倍と 3 倍
720-800nm SHG-> 360-400nm4x4x7mmタイプ I、シータ = 31 度、ファイ = 0 度
720-800nm THG-> 240-265nm4x4x7mmタイプI、シータ=48度、ファイ=0度
ブリュースター角カット BBO による Ar+ レーザーのキャビティ内 SHG
514nm SHG-> 257nm4x4x7mmタイプI、シータ=51度、ファイ=0度
488nm SHG-> 244nm4x4x7mmタイプI、シータ=55度、ファイ=0度


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Qスイッチング用の広い透明度BBO非線形光学結晶200nm

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