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2N7002T-7-Fの指定
部門 | 分離した半導体製品 単一トランジスター- FETs、MOSFETs - |
Mfr | 組み込まれるダイオード |
シリーズ | - |
FETのタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (金属酸化物) |
流出させなさいに源の電圧(Vdss) | 60ボルト |
現在-連続的な下水管(ID) @ 25°C | 115mA (Ta) |
ドライブ電圧(最高Rds、最低Rds) | 5V、10V |
(最高) @ ID、VgsのRds | 7.5Ohm @ 50mA、5V |
Vgs ((最高) Th) @ ID | 2V @ 250µA |
Vgs (最高) | ±20V |
入れられたキャパシタンス((最高) Ciss) @ Vds | 50 pF @ 25ボルト |
FETの特徴 | - |
電力損失(最高) | 150mW (Ta) |
実用温度 | -55°C | 150°C (TJ) |
タイプの取付け | 表面の台紙 |
製造者装置パッケージ | SOT-523 |
パッケージ/場合 | SOT-523 |