IXFN38N100Q2 Mosfet力モジュールのサイリスタのダイオードモジュールのN-Channel MOSFET

型式番号:IXFN38N100Q2

原産地:元の工場

最低順序量:10pcs

支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal

供給の能力:6000pcs

受渡し時間:1日

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Shenzhen China

住所：部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。

サプライヤーの最後のログイン時間: 内 48 時間

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製品詳細会社概要

製品詳細

IXFN38N100Q2

HiPerFETTM力MOSFET

、低いQg評価される、N-Channelの強化モードなだれ低く本質的なRg高いdV/dtの低いtrr

VDSS = 1000ボルト

ID₂₅ = 38 A

RDS _（） = 0.25のΩ

trrの≤ 300 ns

特徴

•低いゲートの抵抗のための二重金属プロセス

•窒化アルミニウムの分離を用いるminiBLOC、

•Unclamped誘導の切換え（UIS）は評価した

•低いパッケージインダクタンス

•速く本質的な整流器

適用

•DC-DCのコンバーター

•転換モードおよび共鳴モード電源

•DCのチョッパー

•パルス発生器

利点

• 取付けること容易

•スペースセービング

•高い発電密度

最高の評価

記号	テスト条件	MAX.	単位
VDSS	TJ = 25°Cへの150°C	1000	V
VDGR	TJ = 25°Cへの150°C;RGS = 1 MΩ	1000	V
VGS	連続的	±30	V
VGSM	トランジェント	±40	V
ID₂₅	TC = 25°C	38
IDM	TC = 25°CのTJMによって限られる脈拍幅	152
IAR	TC = 25°C	38
耳	TC = 25°C	60	mJ
EAS	TC = 25°C	5.0	J
dv/dt	≤ IDMのdi/dtの≤ 100 A/µsのVDDの≤ VDSSはある TJの≤ 150°C、RG = 2 Ω	20	V/ns
PD	TC = 25°C	890	W
TJ		-55… +150	°C
TJM		150	°C
Tstg		-55… +150	°C
VISOL	50/60のHz、RMS、t = 1分	2500	V
Md	トルクの取付けターミナルコネクションのトルク	1.5/13 1.5/13	Nm/lb.in. Nm/lb.in.

標準的な提供（熱い販売法）

部品番号。

量

ブランド

D/C

パッケージ