DS1216C Mosfet力モジュールIGBT力モジュールのSmartWatchのRAM及びROM

標準的な提供（熱い販売法）

DS1216

SmartWatchのRAM （DS1216B/C/D/H）;

SmartWatch ROM （DS1216E/F）

概説

SmartWatch DS1216 SmartWatchのRAMおよびROMはソケット作り付けCMOSの腕時計機能、NVのRAMのコントローラー回路および埋め込まれたリチウム エネルギー源の600ミル全体のすくいのソケットである。ソケットは26のピンからの32のピンにパッケージのサイズを2K X 8記憶容量NVのRAMの解決をにから512K X 8に提供する。

ソケットはCMOS SRAMと合うとき、記憶非持久性と関連付けられる問題に完全な解決を提供し、時間と日付を維持するのに共通のエネルギー源を使用する。SmartWatch ROMのソケット埋め込まれたリチウム源をだけ時間と日付を維持するのに使用するため。

SmartWatchの主要特点は腕時計機能がRAMに対して透明に残ることである。SmartWatchはの許容状態のためのVCCを監察する。そのような条件が起こるとき、内部リチウム エネルギー源は自動的につけられ、保護を無条件で腕時計およびRAMデータの損失を防ぐために可能になる書く。

特徴

• 月の秒、秒、分、時間、幾日、日付、月および年の第百を把握する
• 512K Xまでの改宗者の標準2K X 8不揮発性メモリへの8つのCMOSの静的なラム
• 埋め込まれたリチウム エネルギー細胞は腕時計情報を維持し、RAMデータを保つ
• 腕時計機能はRAM操作に対して透明である

• 自動うるう年の補償有効な2100まで
• リチウム エネルギー源は電気で力がはじめて適用されるまで新鮮さを保つために切られる
• 証明された気密ソケットの接触
• 十分に±10%の動作範囲
• +25°Cで±1分/月よりよい正確さ

絶対最高評価

地面.................................................... - 0.3Vへの+6.0Vに関連するPinの電圧範囲

実用温度範囲.......................................................................... 0°Cへの+70°C

保管温度の範囲.......................................................................... - 40°Cへの+85°C

鉛の温度（、10sはんだ付けすること） ..................................................................................... +260°C

注:波だけか手はんだ。

これは圧力の評価だけであり、これらの装置またはそれらを越える他のどの条件のも機能操作はこの指定の操作セクションで意味されない示した。長時間の絶対最高評価の条件への露出は信頼性に影響を与えることができる。

典型的な作動回路

PIN構成

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