オクタルバストランシーバー集積回路チップ 3 ステート 74HC245PW、118
型式番号:74HC245PW
原産地:元の工場
最低順序量:20pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:20000pcs
受渡し時間:1日
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Shenzhen China
住所：
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
製品詳細
1. 概要
74HC245;74HCT245 は高速 Si ゲート CMOS デバイスで、低電力ショットキー TTL (LSTTL) とピン互換です。
74HC245;74HCT245 は、送信方向と受信方向の両方で非反転トライステート バス互換出力を備えたオクタル トランシーバーです。74HC245;74HCT245 は、カスケード接続を容易にする出力イネーブル入力 (OE) と方向制御用の送信/受信入力 (DIR) を備えています。OE は、バスが効果的に分離されるように出力を制御します。
74HC245;74HCT245 は 74HC640 に似ています。74HCT640 ですが、真 (非反転) 出力を備えています。
2. 特長
■ オクタル双方向バスインターフェース
■ 非反転トライステート出力
■ 複数のパッケージオプション
■JEDEC規格No.に準拠。7A
■ ESD保護:
◆ HBM EIA/JESD22-A114-B は 2000 V を超えます
◆ MM EIA/JESD22-A115-A は 200 V を超えます
■ 仕様温度は−40 °C ～ +85 °C および -40 °C ～ +125 °C
3. 早見表データ
GND = 0V;Tアンビ= 25 °C;tr= tf= 6ns
| シンボル | パラメータ | 条件 | 分 | タイプ | マックス | ユニット |
| 74HC245型 | ||||||
| tPHL、tPLH | 伝播遅延 An から Bn または Bn から An | CL= 15pF; VCC=5V | - | 7 | - | ns |
| C私 | 入力容量 | - | 3.5 | - | pF | |
| CI/O | 入出力容量 | - | 10 | - | pF | |
| CPD | あたりの許容損失静電容量 トランシーバー | V私= GND から VCC | [1] - | 30 | - | pF |
| 74HC245型 | ||||||
| tPHL、tPLH | 伝播遅延 An から Bn または Bn から An | CL= 15pF; VCC=5V | - | 10 | - | ns |
| C私 | 入力容量 | - | 3.5 | - | pF | |
| CI/O | 入出力容量 | - | 10 | - | pF | |
| CPD | あたりの許容損失静電容量 トランシーバー | V私= GNDから VCC−1.5V | [1] - | 30 | - | pF |
[1]CPD動的消費電力 (PDμW単位):
PD= CPD×VCC2 × f私× N + Σ (CL × VCC2× fo) ここで:
f私= 入力周波数 (MHz);
fああ= 出力周波数 (MHz);
CL= 出力負荷容量 (pF);
VCC= 供給電圧 (V);
N = 入力スイッチングの数。
∑ (CL×VCC2× fああ) = 出力の合計。
4. 機能図
オクタルバストランシーバー集積回路チップ 3 ステート 74HC245PW、118
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