SN7407DR 集積回路部品 チップ 電源 Ic チップ ヘックス バッファ/ドライバ

IR2153(D)(S) &(PbF)

自己発振ハーフブリッジドライバー

特徴

• 統合された 600V ハーフブリッジ ゲート ドライバー

• Vcc 上の 15.6V ツェナー クランプ

• 真のマイクロパワー起動

• より厳密な初期デッドタイム制御

• 低い温度係数のデッドタイム

• C のシャットダウン機能 (1/6 Vcc)_Tピン

• 低電圧ロックアウトヒステリシスの増加 (1V)

• 低電力レベルシフト回路

• 起動時の一定の LO、HO パルス幅

• di/dt ゲートドライバを低くしてノイズ耐性を向上

• R と同相のローサイド出力_T

• 50nsec (typ.) ブートストラップ ダイオードを内蔵 (IR2153D)

• すべての入力および出力における優れたラッチ耐性

• すべてのリード線の ESD 保護

• 鉛フリーも利用可能

説明

IR2153D(S) は、人気のある IR2155 および IR2151 ゲート ドライバ IC の改良版であり、業界標準の CMOS 555 タイマーと同様のフロントエンド発振器を備えた高電圧ハーフブリッジ ゲート ドライバが組み込まれています。IR2153 は、以前の IC よりも多くの機能を提供し、使いやすくなっています。シャットダウン機能は C に設計されています。_Tピンに接続できるため、低電圧制御信号を使用して両方のゲート ドライバ出力を無効にできます。

さらに、V の低電圧ロックアウトしきい値が上昇すると、ゲート ドライバの出力パルス幅は同じになります。_CCに達し、その結果、起動時の周波数対時間のプロファイルがより安定しました。ゲート ドライバのピーク di/dt を下げ、低電圧ロックアウト ヒステリシスを 1V に増やすことにより、ノイズ耐性が大幅に向上しました。最後に、デバイスのラッチ耐性を最大化し、すべてのピンに包括的な ESD 保護を提供することに特別な注意が払われています。

製品概要

V_{オフセット}最大600V

デューティサイクル 50%

Tr/Tp 80/40ns

Vクランプ15.6V

デッドタイム (標準) 1.2 µs

絶対最大定格

絶対最大定格は、それを超えるとデバイスに損傷が発生する可能性がある持続的な制限を示します。すべての電圧パラメータは COM を基準とした絶対電圧であり、すべての電流はリード線への正として定義されます。熱抵抗と消費電力定格は、基板に取り付けられ、空気が静止している状態で測定されます。

注1: ​​本ICはチップV間にツェナークランプ構造を採用しています。_CCCOM は公称降伏電圧が 15.6V です。この電源ピンは、V を超える DC 低インピーダンス電源で駆動しないでください。_クランプ「電気的特性」セクションで指定されています。

パッケージ

一般的な接続

株式公開（ホットセル）

CHONGMINGのグループ（HK）国際的なCO.、株式会社は香港およびシンセンに置いた。私達は2008年に確立される電子部品の独立したディストリビューターである。成長の速い会社として希少、時代遅れである電子部品を供給する、CMのグループは国際的レベルの効率、優秀なサービスおよび驚くべき能力のために有名にされる。私達は半導体の市場の私達の革新、信頼性およびサービスを、特に誇りに思った。
私達の配分のブランドはXILINX、ALTERA、ATMEL、INFINEON、ST、サムスン、テキサス・インスツルメント、東芝、NXP、マイクロチップ、CYPRESS、FREESCALE、等を含んでいる。私達は半導体から抵抗器、コンデンサー、ダイオード、誘導器、コネクター、トランジスター、センサーまで等及ぶ200,000のプロダクトへ分布する。
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