LP3872EMPX-3.3 集積回路チップリニア集積回路

株式公開（ホットセル）

LP3872/LP3875

1.5A高速超低ドロップアウトリニアレギュレータ

概要

LP3872/LP3875 シリーズの高速超低ドロップアウト リニア レギュレータは、+2.5V ～ +7.0V の入力電源で動作します。幅広いプリセット出力電圧オプションが利用可能です。これらの超低ドロップアウト リニア レギュレータは、負荷のステップ変化に非常に迅速に応答するため、低電圧マイクロプロセッサ アプリケーションに適しています。

LP3872/LP3875 は、出力負荷電流に関係なく低静止電流動作を可能にする CMOS プロセスで開発されています。この CMOS プロセスにより、LP3872/LP3875 は極めて低いドロップアウト条件でも動作することができます。

ドロップアウト電圧: 超低ドロップアウト電圧。通常、150mA負荷電流で38mV、1.5A負荷電流で380mV。

グランドピン電流: 負荷電流 1.5A で通常 6mA

シャットダウンモード: シャットダウンピンが Low になったときの自己消費電流は通常 10nA。

エラーフラグ: 出力電圧が公称値より 10% 低下すると、エラー フラグが Low になります。

検出: センスピンにより、リモート負荷でのレギュレーションが改善されます。

高精度の出力電圧: 1.8V ～ 5.0V の範囲で複数の出力電圧オプションが利用可能で、精度は室温で ±1.5%、すべての条件 (ライン、負荷、温度の変化) で ±3.0% が保証されています。

特徴

• 超低ドロップアウト電圧
• 低いグランドピン電流
• ロードレギュレーション0.06%
• シャットダウンモードでの静止電流は10nA
• 出力電流1.5A DCを保証
• TO-263、TO-220、SOT-223 パッケージで利用可能
• 出力電圧精度 ±1.5%
• エラーフラグは出力ステータスを示します
• センスオプションにより負荷レギュレーションが向上
• 出力コンデンサの最小要件
• 過熱/過電流保護
• −40℃〜+125℃のジャンクション温度範囲

アプリケーション

• マイクロプロセッサ電源
• GTL、GTL+、BTL、および SSTL バス ターミネータ
• DSP用電源
• SCSIターミネータ
• ポスト規制当局
• 高効率リニアレギュレータ
• バッテリー充電器
• その他のバッテリー駆動アプリケーション

絶対最大定格(注1)

軍事/航空宇宙指定のデバイスが必要な場合は、入手可能性と仕様について National Semiconductor 営業所/販売代理店にお問い合わせください。

保存温度範囲 -65˚C ～ +150˚C

リード温度（はんだ付け、5秒） 260℃

ESD 定格 (注 3) 2 kV

許容損失 (注 2) 内部制限あり

入力電源電圧 (生存) −0.3V ～ +7.5V

シャットダウン入力電圧 (生存) −0.3V ～ +7.5V

出力電圧 (サバイバル)、(注 4)、(注 5) −0.3V ～ +6.0V

私_外(生存) 短絡保護

ERROR ピン V の最大電圧_の

SENSEピンVの最大電圧_外

動作定格

入力電源電圧 (注6) 2.5V～7.0V

シャットダウン入力電圧 -0.3V ～ 7.0V

最大動作電流 (DC) 1.5A

ジャンクション温度 -40˚C ～ +125˚C

注 1: 絶対最大定格は、それを超えるとデバイスに損傷が発生する可能性がある限界を示します。動作定格は、デバイスが機能することを意図した条件を示しますが、特定の性能制限を保証するものではありません。保証仕様および試験条件については、「電気的特性」を参照してください。保証された仕様は、記載されているテスト条件にのみ適用されます。リストされたテスト条件下でデバイスが動作しない場合、一部の性能特性が低下する可能性があります。

注 2: 高温では、パッケージの熱抵抗に基づいてデバイスの定格を下げる必要があります。TO220 パッケージのデバイスは、ジャンクションから周囲まで (ヒートシンクなし)、θjA = 50˚C/W (0.5in2、1oz. 銅面積) で定格を下げる必要があります。TO263 表面実装パッケージのデバイスは、接合部から周囲温度まで θjA = 60˚C/W (0.5in2、1oz. 銅面積) で定格を下げる必要があります。SOT-223 パッケージは、接合部から周囲までの温度で θjA = 90˚C/W (0.5in2、1oz. 銅面積) で定格を下げる必要があります。

注 3: 人体モデルは、1.5kΩ 抵抗を介して各ピンに放電される 100pF コンデンサです。

Note 4: レギュレータの負荷が負電源に戻されるデュアル電源システムで使用する場合、出力をグランドにダイオードクランプする必要があります。

Note 5: 出力 PMOS 構造には、VIN 端子と VOUT 端子の間にダイオードが含まれています。このダイオードは通常、逆バイアスされます。出力端子の電圧が入力端子の電圧よりも高くなると、このダイオードは順方向バイアスがかかります。このダイオードは通常、200mA の DC 電流と 1Amp のピーク電流に耐えることができます。

Note 6: VIN の最小動作値は、[VOUT(NOM) + VDROPOUT] または 2.5V のいずれか大きい方と等しくなります。

代表的なアプリケーション回路

接続図

ブロック図

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