AT28C256-15PU 集積回路チップ 256K (32K x 8) ページパラレル EEPROM

型式番号:AT28C256-15PU
原産地:元の工場
最低順序量:10pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:8200pcs
受渡し時間:1日
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Shenzhen China
住所: 部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 48 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

AT28C256-15PU インターグレートチップ 256K (32K x 8) ページパラレル EEPROM


特徴


高速読み取りアクセス時間 – 150 ns

自動ページ書き込み動作 – 64 バイトの内部アドレスおよびデータ ラッチ – 内部制御タイマー

高速書き込みサイクル時間 – ページ書き込みサイクル時間: 3 ミリ秒または最大 10 ミリ秒 – 1 ~ 64 バイトのページ書き込み操作

低消費電力 – 50 mA アクティブ電流 – 200 µA CMOS スタンバイ電流

ハードウェアおよびソフトウェアのデータ保護

書き込み終了検出のためのDATAポーリング

高信頼性 CMOS テクノロジー – 耐久性: 104 または 105 サイクル – データ保持期間: 10 年

単一 5V ± 10% 電源

CMOSおよびTTL互換の入力および出力

JEDEC 承認のバイトワイド ピン配置

軍用および産業用の全温度範囲

グリーン (鉛/ハロゲン化物フリー) パッケージ オプション


1. 説明


AT28C256 は、電気的に消去およびプログラム可能な高性能読み取り専用メモリです。その 256K のメモリは 32​​,768 ワード x 8 ビットとして構成されています。Atmel の高度な不揮発性 CMOS テクノロジーを使用して製造されたこのデバイスは、わずか 440 mW の消費電力で 150 ns までのアクセス時間を実現します。デバイスが選択解除されると、CMOS スタンバイ電流は 200 µA 未満になります。AT28C256 は、外部コンポーネントを必要とせずに、読み取りまたは書き込みサイクルでスタティック RAM のようにアクセスされます。このデバイスには 64 バイトのページ レジスタが含まれており、最大 64 バイトの同時書き込みが可能です。書き込みサイクル中、アドレスと 1 ~ 64 バイトのデータが内部でラッチされ、アドレスとデータ バスが他の操作のために解放されます。書き込みサイクルの開始に続いて、デバイスは内部制御タイマーを使用してラッチされたデータを自動的に書き込みます。書き込みサイクルの終了は、I/O7 の DATA Polling によって検出できます。書き込みサイクルの終了が検出されると、読み取りまたは書き込みの新しいアクセスを開始できます。Atmel の AT28C256 には、高品質と製造性を確保するための追加機能があります。このデバイスは内部エラー訂正を利用して耐久性を延長し、データ保持特性を向上させます。オプションのソフトウェア データ保護メカニズムを使用して、不注意な書き込みを防止できます。このデバイスには、デバイスの識別ま​​たは追跡用に追加の 64 バイトの EEPROM も含まれています。


2. 端子配置


ピン名関数
A0~A14住所
CEチップイネーブル
OE出力イネーブル
私たちライトイネーブル
I/O0 ~ I/O7データ入力/出力
ノースカロライナ州接続なし
直流接続しないでください

4. デバイスの操作


4.1 読み取り

AT28C256 はスタティック RAM のようにアクセスされます。CE と OE が Low、WE が High の場合、アドレス ピンによって決定されたメモリ位置に格納されたデータが出力でアサートされます。CE または OE のいずれかが High の場合、出力はハイ インピーダンス状態になります。このデュアルライン制御により、設計者はシステム内のバス競合を柔軟に防ぐことができます。


4.2 バイト書き込み


CE または WE が (それぞれ) ロー、OE がハイの状態で WE または CE 入力にロー パルスが入力されると、書き込みサイクルが開始されます。アドレスは CE または WE のどちらか最後に発生した立ち下がりエッジでラッチされます。データは CE または WE の最初の立ち上がりエッジでラッチされます。バイト書き込みが開始されると、完了までの時間が自動的に測定されます。プログラミング動作が開始されると、tWC の間、読み取り動作は事実上ポーリング動作になります。


4.3 ページ書き込み


AT28C256 のページ書き込み動作により、1 つの内部プログラミング期間中に 1 ~ 64 バイトのデータをデバイスに書き込むことができます。ページ書き込み操作はバイト書き込みと同じ方法で開始されます。書き込まれる最初のバイトの後に、1 ~ 63 の追加バイトが続くことができます。連続する各バイトは、前のバイトから 150 µs (tBLC) 以内に書き込む必要があります。tBLC 制限を超えると、AT28C256 はデータの受け入れを停止し、内部プログラミング動作を開始します。ページ書き込み操作中のすべてのバイトは、A6 ~ A14 入力の状態によって定義されるのと同じページ上に存在する必要があります。ページ書き込み動作中の WE の High から Low への遷移ごとに、A6 ~ A14 は同じでなければなりません。A0 ~ A5 入力は、ページ内のどのバイトを書き込むかを指定するために使用されます。バイトは任意の順序でロードでき、同じロード期間内で変更できます。書き込み用に指定されたバイトのみが書き込まれます。ページ内の他のバイトの不必要な循環は発生しません。


4.4 データポーリング


AT28C256 は、書き込みサイクルの終了を示すデータ ポーリングを備えています。バイトまたはページの書き込みサイクル中に、書き込まれた最後のバイトを読み取ろうとすると、書き込まれたデータの補数が I/O7 に表示されます。書き込みサイクルが完了すると、すべての出力で真のデータが有効になり、次の書き込みサイクルが開始されます。DATA ポーリングは書き込みサイクル中いつでも開始できます。


4.5 トグルビット


DATA ポーリングに加えて、AT28C256 は書き込みサイクルの終了を決定する別の方法を提供します。書き込み操作中にデバイスからデータを読み取ろうとすると、I/O6 が 1 と 0 の間で切り替わります。書き込みが完了すると、I/O6 のトグルが停止し、有効なデータが読み取られます。トグル ビットの読み取りは、書き込みサイクル中いつでも開始できます。


4.6 データ保護


予防措置を講じないと、ホスト システムの電源の遷移中に不用意な書き込みが発生する可能性があります。Atmel には、不注意な書き込みからメモリを保護するハードウェアとソフトウェアの両方の機能が組み込まれています。


4.6.1 ハードウェア保護


ハードウェア機能は、次の方法で AT28C256 への不注意な書き込みを防止します。 (a) VCC センス - VCC が 3.8V (標準) を下回る場合、書き込み機能は禁止されます。(b) VCC パワーオン遅延 – VCC が 3.8V に達すると、デバイスは書き込みを許可する前に 5 ms (標準) で自動的にタイムアウトになります。(c) 書き込み禁止 – OE を Low、CE High、または WE High のいずれかを保持すると、書き込みサイクルが禁止されます。(d) ノイズ フィルタ – WE または CE 入力の 15 ns (標準値) 未満のパルスは書き込みサイクルを開始しません。


4.6.2 ソフトウェアのデータ保護


AT28C256 にはソフトウェア制御のデータ保護機能が実装されています。ソフトウェア データ保護 (SDP) を有効にすると、不注意な書き込みが防止されます。SDP 機能はユーザーが有効または無効にすることができます。AT28C256 は、SDP が無効になった状態で Atmel から出荷されます。


SDP は、ホスト システムが一連の 3 つの書き込みコマンドを発行することによって有効になります。3 つの特定のバイトのデータが 3 つの特定のアドレスに書き込まれます (「ソフトウェア データ保護」アルゴリズムを参照)。3 バイトのコマンド シーケンスの書き込み後、tWC の後、AT28C256 全体は不注意な書き込み操作から保護されます。一度保護された後も、ホストは AT28C256 へのバイトまたはページの書き込みを実行できることに注意してください。これは、SDP を有効にするために使用されるのと同じ 3 バイトのコマンド シーケンスを書き込むデータに先行させることによって行われます。


SDP は、一度設定されると、disable コマンド シーケンスが発行されない限りアクティブのままになります。電源遷移によって SDP が無効になることはなく、SDP は電源投入および電源切断状態中に AT28C256 を保護します。すべてのコマンド シーケンスは、ページ書き込みタイミング仕様に準拠する必要があります。イネーブルおよびディスエーブル コマンド シーケンスのデータはデバイスに書き込まれず、シーケンスで使用されるメモリ アドレスにはバイトまたはページ書き込み操作でデータを書き込むことができます。


SDP を設定した後、3 バイトのコマンド シーケンスを使用せずにデバイスに書き込もうとすると、内部書き込みタイマーが開始されます。データはデバイスに書き込まれません。ただし、tWC の期間中は、読み取り操作は事実上ポーリング操作となります。4.7 デバイスの識別 ユーザーは、追加の 64 バイトの EEPROM メモリをデバイスの識別に使用できます。A9 を 12V ± 0.5V に上げ、アドレス位置 7FC0H ~ 7FFFH を使用することにより、通常のメモリ アレイと同じ方法で追加バイトの書き込みまたは読み取りを行うことができます。


4.8 オプションのチップ消去モード


6 バイトのソフトウェア コードを使用してデバイス全体を消去できます。詳細については、「ソフトウェアチップ消去」アプリケーションノートを参照してください。


熱い販売オファー!!!


部品番号数量D/Cパッケージコード
LTC3851EUD500017+QFNLCXN
LTC3851IUD500017+QFNLCXN
LTC3407EDD500017+QFNLAGK
LTC1992-2IMS8500017+MSOP8LTZD
LTC3807EUDC500017+QFNLGSG
LTC3807IUDC500017+QFNLGSG
LTC3807HUDC500017+QFNLGSG
LTC3807MPUDC500017+QFNLGSG
LT3755EUD-1500017+QFNLDMS
LT3755IUD-1500017+QFNLDMS
LT3650EDD-8.2500017+QFNLDXT
LT3650IDD-8.2500017+QFNLDXT
LTC3548EDD500017+QFNLBNJ
LTC3548IDD500017+QFNLBNJ
LTC6908CS6-1500017+SOTLTBYC
LTC6908IS6-1500017+SOTLTBYC
LTC6908HS6-1500017+SOTLTBYC
LTC6908CS6-2500017+SOTLTBYD
LTC6908IS6-2500017+SOTLTBYD
LTC6908HS6-2500017+SOTLTBYD
LTC3851EGN500017+SOT3851
LTC3851IGN500017+SSOP163851
LTC3851EMS500017+SSOP163851
LTC3851IMSE500017+SSOP163851
LTC3851EUD500017+SSOP16LCXN
LTC3851IUD500017+QFN-16LCXN
LT3971EMSE500016歳以上MSOP10LTFJG
LT3971HMSE500016歳以上MSOP10LTFJG
LT3971IMSE500016歳以上MSOP10LTFJG
LT3481IMSE500016歳以上MSOP10LTBVW
LTC6253CMS8500017+MSOP8LTFRX
LTC6253HMS8500017+MSOP8LTFRX
LTC6253IMS8500017+MSOP8LTFRX
LT3010EMS8E-5500017+MSOP8LTAEF
LT3010MPMS8E-5500017+MSOP8LTAEF
LT3685EMSE500016歳以上MSOP10LTCYF
LT3685IMSE500016歳以上MSOP10LTCYF
LT3973EMSE500016歳以上MSOP10LTFYS
LT3973HMSE500016歳以上MSOP10LTFYS
LT3973IMSE500016歳以上MSOP10LTFYS
LTC3532EMS500017+MSOP10LTBXS
LT4356MPMS-1500017+MSOP10LTFGD
LT3580EMS8E500017+MSOP8LTDCJ
LT3580HMS8E500017+MSOP8LTDCJ
LT3580IMS8E500017+MSOP8LTDCJ
LT3580MPMS8E500017+MSOP8LTDCJ
LT1936IMS8E500017+MSOP8LTBRV
LT1999CMS8-20500017+MSOP8LTGVC
LT1999IMS8-20500017+MSOP8LTGVC
LT1999HMS8-20500017+MSOP8LTGVC
LT1999MPMS8-20500017+MSOP8LTGVC
LT3684EMSE500016歳以上MSOP10LTCVS
LT3684IMSE500016歳以上MSOP10LTCVS
LTC6103CMS8500017+MSOP8LTCMN
LTC6103HMS8500017+MSOP8LTCMN
LTC6103IMS8500017+MSOP8LTCMN
LT3757EMSE500016歳以上MSOP10LTDYX
LT3757HMSE500016歳以上MSOP10LTDYX
LT3757IMSE500016歳以上MSOP10LTDYX
LT3757MPMSE500016歳以上MSOP10LTDYX
LT3971EMSE500017+MSOP8LTFJG
LT3971HMSE500017+MSOP8LTFJG
LT3971IMSE500017+MSOP8LTFJG
LTC6104CMS8500017+MSOP8LTCMP
LTC6104HMS8500017+MSOP8LTCMP
LTC6104IMS8500017+MSOP8LTCMP
LT4356CMS-3500017+MSOP10LTFFK
LT4356HMS-3500017+MSOP10LTFFK
LT4356IMS-3500017+MSOP10LTFFK
LT1767EMS8E500017+MSOP8LTZG
LT3970EMS500017+MSOP10LTFDB
LT3970HMS500017+MSOP10LTFDB
LT3970IMS500017+MSOP10LTFDB
LTC6930CMS8-7.37500017+MSOP8LTCLC
LTC6930HMS8-7.37500017+MSOP8LTCLC
LTC6930IMS8-7.37500017+MSOP8LTCLC
LTC4444EMS8E-5500016歳以上MSOP8LTDPY
LTC4444HMS8E-5500016歳以上MSOP8LTDPY
LTC4444IMS8E-5500016歳以上MSOP8LTDPY
LT3757EMSE500016歳以上MSOP10LTDYX
LT3757HMSE500016歳以上MSOP10LTDYX
LT3757IMSE500016歳以上MSOP10LTDYX
LT3757MPMSE500016歳以上MSOP10LTDYX
LT3680EMSE500016歳以上MSOP10LTCYM
LT3680HMSE500016歳以上MSOP10LTCYM
LT3680IMSE500016歳以上MSOP10LTCYM
LTC3805EMSE-5500016歳以上MSOP10LTDGX
LTC3805HMSE-5500016歳以上MSOP10LTDGX
LTC3805IMSE-5500016歳以上MSOP10LTDGX
LTC3805MPMSE-5500016歳以上MSOP10LTDGX
LT3973EMSE500016歳以上MSOP10LTFYS
LT3973HMSE500016歳以上MSOP10LTFYS
LT3973IMSE500016歳以上MSOP10LTFYS
LTC2355CMSE-14500017+MSOP10LTCVY
LTC2355IMSE-14500017+MSOP10LTCVY
LT3684EMSE500016歳以上MSOP10LTCVS
LT3684IMSE500016歳以上MSOP10LTCVS
LTC2494CUHF50001734+QFN382494
LTC2494IUHF50001734+QFN382494

China AT28C256-15PU 集積回路チップ 256K (32K x 8) ページパラレル EEPROM supplier

AT28C256-15PU 集積回路チップ 256K (32K x 8) ページパラレル EEPROM

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