MT48LC32M16A2P-75 IT:C TR プログラム可能な IC チップ、人気のある複雑な集積回路

MT48LC32M16A2P -75IT プログラマブル IC チップ、人気のある複雑な集積回路

特徴

• PC100 および PC133 準拠

• 完全同期。システムクロックのポジティブエッジで登​​録されたすべての信号

• 内部パイプライン操作。カラムアドレスはクロックサイクルごとに変更可能

• 行アクセス/プリチャージを隠すための内部バンク

• プログラム可能なバースト長: 1、2、4、8、またはフルページ

• 自動プリチャージ、CONCURRENT AUTO PRECHARGE および自動リフレッシュ モードを含む

• セルフリフレッシュモード。標準および低電力

• 64ms、4,096サイクルのリフレッシュ

• LVTTL互換の入出力

• +3.3V ±0.3V 単一電源

概要

Micron® 128Mb SDRAM は、134,217,728 ビットを含む高速 CMOS ダイナミック ランダム アクセス メモリです。内部では、同期インターフェイスを備えたクアッドバンク DRAM として構成されています (すべての信号はクロック信号 CLK の立ち上がりエッジで登​​録されます)。x4 の 33,554,432 ビット バンクはそれぞれ、4,096 行 x 2,048 列 x 4 ビットとして構成されています。x8 の 33,554,432 ビット バンクはそれぞれ、4,096 行 x 1,024 列 x 8 ビットとして構成されています。x16 の 33,554,432 ビット バンクはそれぞれ、4,096 行 x 512 列 x 16 ビットとして構成されています。

SDRAM への読み取りおよび書き込みアクセスはバースト指向です。アクセスは選択された位置から開始され、プログラムされたシーケンスでプログラムされた数の位置まで継続されます。アクセスは ACTIVE コマンドの登録で始まり、次に READ または WRITE コマンドが続きます。ACTIVE コマンドと同時に登録されたアドレス ビットは、アクセスするバンクと行を選択するために使用されます (BA0、BA1 はバンクを選択し、A0 ～ A11 は行を選択します)。READ または WRITE コマンドと同時に登録されたアドレス ビットは、バースト アクセスの開始列位置を選択するために使用されます。

SDRAM は、バースト終了オプションを使用して、1、2、4、または 8 位置、またはページ全体のプログラム可能な読み取りまたは書き込みバースト長を提供します。自動プリチャージ機能を有効にして、バースト シーケンスの終わりに開始されるセルフタイム行プリチャージを提供することができます。

在庫リスト

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