MT29F4G08ABADAWP:D TR プログラム Ic チップ カラー TV Ic メモリ フラッシュ チップ整流ダイオード

4Gb、8Gb、16Gb: x8、x16 NAND フラッシュ メモリの機能

MT29F4G08ABADAH4、MT29F4G08ABADAWP、MT29F4G08ABBDAH4、MT29F4G08ABBDAHC、MT29F4G16ABADAH4、MT29F4G16ABADAWP、MT29F4G16ABBDAH4、MT29F4G16ABBDAHC、MT29F8G0 8ADADAH4、MT29F8G08ADBDAH4、MT29F8G16ADADAH4、MT29F8G16ADBDAH4、MT29F16G08AJADAWP

特徴：

• オープン NAND フラッシュ インターフェイス (ONFI) 1.0 準拠1

• シングルレベルセル (SLC) テクノロジー

• 組織

– ページサイズ x8: 2112 バイト (2048 + 64 バイト)

– ページサイズ x16: 1056 ワード (1024 + 32 ワード)

– ブロックサイズ: 64 ページ (128K + 4K バイト)

– プレーン サイズ: 2 プレーン x プレーンあたり 2048 ブロック

– デバイスサイズ: 4Gb: 4096 ブロック;8Gb: 8192 ブロック 16Gb: 16,384 ブロック

• 非同期 I/O パフォーマンス

– tRC/tWC: 20ns (3.3V)、25ns (1.8V)

• アレイのパフォーマンス

– ページ読み取り: 25µs 3

– プログラムページ: 200µs (TYP: 1.8V、3.3V)3

– 消去ブロック: 700μs (TYP)

• コマンドセット: ONFI NAND フラッシュプロトコル

• 高度なコマンドセット

– プログラムページキャッシュモード4

– 読み取りページ キャッシュ モード 4

– ワンタイムプログラマブル（OTP）モード

– 2 面コマンド 4

– インターリーブド ダイ (LUN) 操作

– 固有IDの読み取り – ブロックロック（1.8Vのみ）

– 内部データの移動

• 動作ステータスバイトは、ソフトウェアによる検出方法を提供します。

– 操作の完了 – 合否条件

– ライトプロテクト状態

• Ready/Busy# (R/B#) 信号は、操作の完了を検出するハードウェア方式を提供します。

• WP# 信号: デバイス全体の書き込み禁止

• 最初のブロック（ブロックアドレス 00h）は、ECC 付きで工場出荷時に有効です。

最低限必要な ECC については、「エラー管理」を参照してください。

• PROGRAM/ERASE サイクルが 1000 未満の場合、ブロック 0 には 1 ビット ECC が必要

• 電源投入後の最初のコマンドとして RESET (FFh) が必要

• 電源投入後のデバイス初期化の代替方法 (Nand_Init) (工場にお問い合わせください)

• データが読み取られるプレーン内でサポートされる内部データ移動操作

• 品質と信頼性 – データ保持: 10 年 – 耐久性: 100,000 プログラム/消去サイクル

• 動作電圧範囲 – VCC: 2.7 ～ 3.6V – VCC: 1.7 ～ 1.95V

• 動作温度:

– 商用: 0°C ～ +70°C

– 産業用 (IT): –40°C ～ +85°C

• パッケージ – 48 ピン TSOP タイプ 1、CPL2

– 63 ボール VFBGA

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