RFP70N06高い発電mosfetのトランジスター力MosfetのトランジスターN-Channel力のMOSFETs

型式番号:RFP70N06
原産地:元の工場
最低順序量:10pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:8300pcs
受渡し時間:1日
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Shenzhen China
住所: 部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 48 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

RFG70N06、RFP70N06、RF1S70N06SM

70A、60V、0.014オーム、N-Channel力のMOSFETs


これらはMegaFETプロセスを使用して製造されたN-Channel力のMOSFETsである。LSI回路のそれらに近づく形状を使用するこのプロセスは顕著な性能に終ってケイ素の最適利用を、与える。彼らは切換え調整装置、転換のコンバーター、モーター運転者およびリレー運転者のような適用の使用のために設計されていた。これらのトランジスターは集積回路から直接作動させることができる。

以前進化のタイプTA49007。


特徴

•70A、60V

•rDS () = 0.014Ω

•温度によって償われるPSPICE®モデル

•ピーク電流対脈拍幅のカーブ

•UISの評価のカーブ(単一の脈拍)

•175oC実用温度

•関連の文献

- TB334 「パソコン ボードへのはんだ付けする表面の台紙の部品のための指針」


絶対最高評価TC = 25℃、他に特に規定がなければ

変数記号

RFG70N06、RFP70N06

RF1S70N06SM

単位
源の電圧(ノート1)に流出させなさいVDSS60V
電圧をゲートで制御するために流出させなさい(RGS = 20kΩ) (ノート1)VDGR60V
連続的な下水管の流れID70
脈打った下水管の流れ(ノート3)IDMピーク電流のカーブを参照しなさい
源の電圧へのゲートVGS±20V
単一の脈拍のなだれの評価EASUISのカーブを参照しなさい
電力損失PD150W
線形軽減の要因1.0With℃
作動し、保管温度TJ、TSTG-55から175

はんだ付けすることのための最高温度

10sのための言い分からの0.063in (1.6mm)の鉛

10sのためのパッケージ ボディは、Techbrief 334を見る


TL

Tpkg


300

260


注意:「絶対最高評価に」リストされているそれらの上の圧力は装置への永久的な損害を与えるかもしれない。これは圧力の唯一の評価であり、これらの装置またはこの指定の操作上セクションで示されるそれらの上の他のどの条件のも操作は意味されない。


注:1. TJ = 25oCへの150℃


記号


包装


標準的な提供(熱い販売法)

部品番号。Q'tyMFGD/Cパッケージ
LA44403620鳥取三洋電機14+SIP-14
LT1512CS8#PBF5755線形15+SOP-8
LM75CIMMX-36880NSC14+MSOP-8
LTC2954CTS8-2#TRMPBF6896LT10+SOT
NTE4151PT1G3800016+SOT-523
CXD2480R1277ソニー15+QFP
A8498SLJTR-T3500アレグロ12+SOP-8
A4950ELJTR-T1000アレグロ13+SOP-8
LMX2335LTMX2297NSC14+TSSOP-16
NCP1034DR2G920016+SOP
A3932SLDTR-T2042年アレグロ15+TSSOP38
MM3Z4V7ST1G2500016+SOD-323
MCP1825S-3302E/DB5134マイクロチップ16+SOT-223
MMBZ5257BLT1G2000016+SOT-23
MBR120ESFT1G3800016+芝地
L4931ABD333851ST14+SOP8
NTE4153NT1G3000016+SOT-523
MPX5100DP6099FREESCALE15+SIP
LMH1980MM/NOPB1632チタニウム15+VSSOP-10
PIC18F26K20-I/SS4498マイクロチップ13+SSOP
LTC3450EUD6714線形15+DFN

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RFP70N06高い発電mosfetのトランジスター力MosfetのトランジスターN-Channel力のMOSFETs

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