MT41J128M16HA-15E:D TR ICの破片プログラマー1Gb x4 x8 x16 DDR3 SDRAM

型式番号:MT41J128M16HA-15E-D
原産地:
最低順序量:5pcs
支払の言葉:T/T、ウェスタン・ユニオン、Paypal
供給の能力:290PCS
受渡し時間:1日
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Shenzhen China
住所: 部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
サプライヤーの最後のログイン時間: 内 48 時間
製品詳細 会社概要
製品詳細

機能ブロック ダイヤグラム

DDR3 SDRAMは高速のCMOSのダイナミックRAMである。それは8銀行ドラムとして内部的に形成される。


特徴

•VDD = VDDQ = +1.5V ±0.075V

•1.5Vは押し/引き入力/出力を中心終えた

•差動二方向データ ストロボ

•8nビット先取りの建築

•差動クロックの入力(CK、CK#)

•8つの内部銀行

•データ、ストロボおよびマスク信号のためのわずかな、動的オン ダイスの終了(ODT)

•CASの(読まれる)潜伏(CL):5、6、7、8、9、10、か11

•掲示されたCASの付加的な潜伏(AL):0のCL - 1のCL - 2

•CASの(書きなさい)潜伏(CWL):5、6、7、t CKに基づいて8、

•4の8そして破烈のチョップの固定破烈させた長さ(BL) (紀元前に) (によってモード・レジスタ セット[夫人])

•大急ぎで選択可能なBC4かBL8 (OTF)

•自己によってはモードが新たになる


物品目録


LM4890MM30000NSC15+MSOP-8
MHW6342T6304MOT15+CATV
CM450HA-5F233MITSUBI14+モジュール
PM200RSD060230MITSUBISH05+MOUDLE
PM200RSA060120MITSUBISH13+MOUDLE
MSM5219BGS-K-7550OKI14+QFP
PS11003-C500MITSUBISH12+モジュール
MB87020PF-G-BND3531冨士通14+QFP
MA28207689SHINDENG16+ジッパー
7MBP150RTB060210富士12+モジュール
MBM200HS6B629日立14+モジュール
PM25RSK120320MITSUBISH10+MOUDLE
QM150DY-H150MITSUBISH13+モジュール
PWB130A40120SANREX14+モジュール
LA11853928鳥取三洋電機14+SIP9
BSM25GP120458EUPEC15+モジュール
LM2750LD-ADJ3000NSC14+QFN
NCN1188MUTAG848016+UQFN
NCN1154MUTAG840016+UQFN
LM2745MTCX3000NSC14+TSSOP-14
L78L05ABD10000ST15+SOP8
AT24C08BN-SH5000ATMEL15+SOP-8
PS21563-P500MITSUBISH12+モジュール
BNX003-012058年村田14+すくい
LTC4441IMSE6207線形14+MSOP
PA0173NLT7386脈拍16+SOP
China MT41J128M16HA-15E:D TR ICの破片プログラマー1Gb x4 x8 x16 DDR3 SDRAM supplier

MT41J128M16HA-15E:D TR ICの破片プログラマー1Gb x4 x8 x16 DDR3 SDRAM

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