NチャネルのPowertrench Mosfet FDS6676AS Intregrated回路のコンピュータ・チップ板
型式番号:FDS6676AS
原産地:マレーシア
最低順序量:5pcs
支払の言葉:T/T先立ってまたは他
供給の能力:1000PCS
包装の細部:細部については私に連絡しなさい
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Shenzhen China
住所：
部屋1204のDingchengの国際的な建物、ZhenHuaの道、福田区、シンセン、中国。
サプライヤーの最後のログイン時間:
内 48 時間
製品詳細
会社概要
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NチャネルのPowertrench Mosfet FDS6676AS Intregrated回路のコンピュータ・チップ板
30V N-ChannelのPowerTrench FDS6676ASの電子部品の元の在庫
概説
FDS6676ASは同期のショットキー単一SO-8 MOSFETそしてダイオードを取り替えるように設計されている
DC:DC電源。この30V MOSFETは力の変換効率を最大にするように設計され低いRDS （）および低いゲート充満を提供する。FDS6676ASはフェアチャイルドの単一SyncFETの技術を使用してショットキー統合されたダイオードを含んでいる。
適用
•DC/DCのコンバーター
•低い側面のノート
特徴
•14.5 A、30 V. RDSの（） max= 6.0のmΩの@ VGS = 10 V RDSの（） max= 7.25のmΩ @ VGS = 4.5ボルト
•SyncFETショットキー ボディ ダイオードを含んでいる
•低いゲート充満（典型的な45nC）
•極端に低いRDS （）および速い切換えのための高性能の堀の技術
•高い発電および現在の処理の機能
通知がなければ絶対最高評価TA=25o C
| 記号 | 変数 | 評価 | 単位 |
| VDSS | 下水管源の電圧 | 30 | V |
| VGSS | ゲート源の電圧 | ±20 | V |
| ID | 現在を–連続的流出させなさい（ノート1a） –脈打つ | 14.5 | |
| 50 | |||
| PD | 半二重操作（ノート1a）のための電力損失 （ノート1b） （ノート1c） | 2.5 | W |
| 1.5 | |||
| 1 | |||
| TJ、TSTG | 作動および貯蔵の接合部温度の範囲 | – 55から+150 | °C |
熱特徴
| RθJA | 接続点に包囲された熱抵抗（ノート1a） | 50 | With°C |
| RθJC | 熱抵抗、接続点に場合（ノート1） | 25 |
パッケージの印および発注情報
| 装置印が付いていること | 装置 | 巻き枠のサイズ | テープ幅 | 量 |
| FDS6676AS | FDS6676AS | 13" | 12MM | 2500単位 |
| FDS6676AS | FDS6676AS_NL | 13" | 12MM | 2500単位 |
NチャネルのPowertrench Mosfet FDS6676AS Intregrated回路のコンピュータ・チップ板
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